Ni-Mn-Ga薄膜的輸運(yùn)行為.pdf_第1頁(yè)
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1、磁性形狀記憶合金是一類新型形狀記憶材料,不但具有傳統(tǒng)形狀記憶合金的受溫度場(chǎng)控制的熱彈性形狀記憶效應(yīng),而且還具有受磁場(chǎng)控制的磁性形狀記憶效應(yīng)。Ni-Mn-Ga合金作為一種新型的磁性形狀記憶合金,近幾年倍受人們的關(guān)注。它不僅具有可與熱形狀記憶合金相比的、大的輸出應(yīng)變,而且具有高能量密度和可與壓電材料相比的、高頻率響應(yīng)的特性,并且還具有明顯的磁電阻效應(yīng)。
　　最近兩三年來(lái),人們開始對(duì)納米結(jié)構(gòu)的Ni-Mn-Ga薄膜的輸運(yùn)行為進(jìn)行研究,并觀

2、察到明顯的負(fù)磁電阻。由于成分和微結(jié)構(gòu)的敏感性,人們對(duì)Ni-Mn-Ga薄膜的輸運(yùn)行為認(rèn)識(shí)不多。特別是由于迄今報(bào)導(dǎo)的納米Ni-Mn-Ga薄膜中,馬氏體相變十分不明顯,因此馬氏體相變對(duì)磁輸運(yùn)的影響人們知之甚少。
　　本論文中采用電子束蒸發(fā)、在不同工藝條件下制備了不同成分的Ni-Mn-Ga薄膜,并系統(tǒng)的研究了它們的成份、微結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)行為。在這些薄膜中,觀察到明顯的馬氏體相變過(guò)程和高達(dá)1500％的相變誘導(dǎo)電阻變化率。此外,還觀察到復(fù)雜的相變

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