碳—硅復(fù)合納米管的制備工藝.pdf

1、碳納米管具有奇特的一維結(jié)構(gòu)，因而呈現(xiàn)出許多獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)。但碳納米管一般呈現(xiàn)金屬導(dǎo)電性，雖然特定結(jié)構(gòu)的碳納米管可以具有半導(dǎo)體電性，但其制備工藝難以控制。因此以碳納米管為模板對(duì)其進(jìn)行各種形式的復(fù)合，從而得到具有各種新性質(zhì)的復(fù)合納米管，具有重要的研究?jī)r(jià)值。如在納米管表面生長(zhǎng)一層半導(dǎo)體薄膜可以得到一維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)一層介電薄膜可以得到納米電纜結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)一層高儲(chǔ)鋰性能的薄膜可以極大地提高其作為鋰離子電池負(fù)極材料的儲(chǔ)鋰容量。本研究試圖通過(guò)熱

2、蒸發(fā)及固相反應(yīng)從碳納米管獲得半導(dǎo)體的SiC納米管或者SiC/C復(fù)合納米結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容包括：
　　(1)確定溫度與壓力對(duì)Si-C復(fù)合納米管形成的影響規(guī)律。實(shí)驗(yàn)表明隨著溫度的升高產(chǎn)物中SiC含量增加，隨著環(huán)境壓力的降低產(chǎn)物中SiC含量增加。實(shí)驗(yàn)表明，SiC在蒸發(fā)溫度為1200℃時(shí)開(kāi)始形成，在1300℃以上SiC的形成變得明顯。
　　(2) Raman及XRD測(cè)試表明，所獲得的Si-C復(fù)合納米結(jié)構(gòu)中碳的含量依然占主導(dǎo)地位，表明所獲