多孔SiOCH薄膜的O等離子體表面處理研究.pdf_第1頁(yè)
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1、蘇州大學(xué)碩士學(xué)位論文多孔SiOCH薄膜的O等離子體表面處理研究姓名：錢曉梅申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：寧兆元葉超20070401多孔SiOCH薄膜的O等離子體表面處理研究英文摘要AbstractAsthedevicedimensioncontinuousshrinkinginuitralarge—scaleintegratedcircuits(ULSI)，theresistancecapacitance(RC)delay

2、ofinterconnectsbecomesamajorproblemwhichleadstosignalpropagationdelaydissipationandcrosslinkbetweenmetalinterconnectsInordertoaddresstheproblems，theAI／Si02structuremustbereplacedwi也lowdielectricconstantmaterialsandlowres

3、istivitymetalinterconnectsAsthesubstitutionofSi02，theporouslowdielectricconstant(10wk)andultra—lowdielectricconstant(ultralowk；k21materialshavereceivedmorecloseattentionrecentlyMeanwhile，copperhasbeenadoptedasthesubstitu

4、tionofAlinterconnectsinULSIduetoitslowerresistivityHowever，theintegrationofCu／SiCOHporouslowkdielectricsremainschallengingOwingtotheexistenceofopenporesatthesurfaceofSiCOHlowkfilms，thediffusionofCutoporousSiCOHlowkfilmsc

5、antakeplaceundertheactionofbiasorthermaltreatmentItwillleadtotheincreaseofleakagecurrentandthedeteriorationofelectricalpropertyDuetotheexistenceofSidanglingbondsatthesurfaceofporousSiCOHfilms，ifweincreasethelinkageofSida

6、nglingbondsby02plasmatreatmentthemoreopenporesmaybesealedInthispapertheeffectof02plasmatreatmentontheleakagecurrentofCu／SiCOHintegratedstructureandthedielectricconstantofSiCOHlowkfilmsisinvestigatedTheresultsshowthatthel

7、eakagecurrentofCu／SiCOHstructurecanbereducedgreatlyby02plasmasurfacetreatmentattheexpenseoftheslightincreaseofdielectricconstant丘B(yǎng)ytheFTIRanalysisthedecreaseofleakagecurrentisprovedtelatetotheincreaseofclosedporesKeyword

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