基于QVGA陣列的嵌入式Flash IP設計.pdf

1、當今微電子工業(yè)的產值占世界經濟總產值的4％，己經是全世界最大的產業(yè)。預測表明，在今后的25年里，更將占到世界總產值的8％。 像所有迅速發(fā)展的事物一樣，發(fā)展產生了分工，更細的分工又推動著更高速的發(fā)展。作為微電子技術的一個分支微電子設計業(yè)的分工也在進行著細化，其中最引人注目的是，設計公司逐步劃分為可重用功能模塊設計和系統(tǒng)集成類。功能塊電路(IP， Intellectual Property)基本上是中、小規(guī)模設計，這與我國目前的微電

2、子設計能力有比較好的銜接，適合我國目前的國情。 論文的主要工作是嵌入式Flash IP的設計與實現。該Flash存儲器的陣列采用QVGA(Quasi-Virtual Ground Array，QVGA)結構，存儲容量為16k×16bit，該存儲器電路主要包括以下幾個方面：高壓產生電路、數字控制邏輯電路、Flash存儲陣列以及其專的外圍電路?？傮w分為兩部分：數字控制邏輯電路和模擬宏單元電路。二者無論是電路還是版圖均采用全定制方法設

3、計。 論文首先對IP和非揮發(fā)存儲器，特別是flash存儲器進行了一般性概述；接著對F1ash的基本工作原理，編程、擦除和讀操作以及陣列結構作了詳細的介紹，并闡述了本文所采用的Flash存儲陣列結構。然后介紹了Flash IP的算法設計與功能劃分，隨后是具體電路設計和物理版圖設計。其中重點介紹了高壓產生系統(tǒng)的設計與實現，包括電荷泵，帶隙基準，時鐘產生電路，DAC及其它相關電路。 文章的最后對全文進行了總結，并結合己經完成的