Mg摻雜AlGaN的MOCVD生長以及表征.pdf

1、本文應用MOCVD生長方法進行了Mg摻雜AlGaN材料的生長，并對生長之后的樣品進行結晶質(zhì)量、表面形貌、電學性能、雜質(zhì)原子濃度分布等方面的表征與分析。
　　 1、對于均勻Mg摻雜的AlGaN材料的分析，得到以下研究結果：(1)薄膜結晶質(zhì)量隨著退火溫度增加而降低；(2)當溫度為900℃時，表面原子會開始逃逸，當溫度低于800℃，熱退火提供不了打破Mg-H絡合物的能量；(3)獲得了最佳的退火溫度：850℃以及室溫下Mg均勻摻雜Al0

2、.25Ga0.75N的最佳電阻率：4.37Ω·cm；(4)退火除了造成Mg-H絡合物的分解之外，也會降低O原子濃度，從而增加p型AlGaN電學性能。
　　 2、我們通過生長了不同Ⅴ/Ⅲ值的Mgδ摻雜法生長的AlGaN樣品，并與均勻摻雜的樣品進行對比，得到了一系列分析結果：(1)與均勻摻雜相比，Mgδ摻雜法能有效的降低表面活性，使得Al/Ga原子在薄膜表面擴散長度更長，更傾向于二維生長，其結晶質(zhì)量和表面形貌都更加完美；(2)Mgδ