PbTe納米材料的制備及性能研究.pdf

1、我們研究小組以PbTe為研究對象，做了三方面工作:在ITO(銦錫氧化物)玻璃上制備了PbTe薄膜；在硅襯底上制備了Cr摻雜的PbTe薄膜；通過物理氣相淀積的方法制備了Cr摻雜納米顆粒。利用X射線衍射(XRD)表征了晶體結(jié)構(gòu)；利用原子力掃描電鏡(AFM)，掃描電子顯微鏡(SEM)，場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)表征了物體的表面形貌，利用傅里葉紅外吸收譜(FTIR)表征了材料的紅外吸收特性和并計算了禁帶寬度，利用四探針電阻法測試并計算了

2、電阻率。所取得的主要研究成果如下:
　　1.利用磁控濺射的方法在ITO玻璃上制備了PbTe薄膜，并研究了負偏壓在磁控濺射中對PbTe薄膜制備的影響。研究結(jié)果表明適當?shù)氖┘迂撈珘嚎梢晕入x子體中陽離子轟擊基片表面為薄膜生長提供額外的能量。薄膜的晶體結(jié)構(gòu)，表面形貌，紅外光吸收率，電阻率都能通過施加偏壓得到有效地調(diào)整提高。并發(fā)現(xiàn)施加30V的負偏壓時制備的PbTe薄膜在各方面均具有良好的性能。
　　2.利用磁控濺射并通過退火的方法

3、在Si襯底上制備Cr摻雜的PbTe薄膜，并研究了退火時間對薄膜制備的影響。研究表明，退火時間對制備Cr摻雜 PbTe薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和表面形貌具有重要影響。退火時間為15min時，制備了結(jié)晶良好且表面呈現(xiàn)扁圓狀結(jié)構(gòu)的薄膜。
　　3.通過物理氣相沉積的方法在Si片上制備了Cr摻雜 PbTe納米顆粒。首先通過直流磁控濺射的方法在Si片上沉積了一層 Cr，隨后以PbTe粉末為源材料進行了物理氣相沉積，制備PbTe納米顆粒。研究了濺射時間對