基于Si襯底Ge量子點(diǎn)光纖通信用光電探測器研制.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、整合光纖通信的低損耗寬頻帶大容量低成本的優(yōu)勢與Si基質(zhì)材料的成熟工藝技術(shù)和低廉制作成本優(yōu)勢，研制Si襯底Ge量子點(diǎn)光纖通信用光電探測器，將為超大規(guī)模光電集成通信及未來光子通信做好準(zhǔn)備，造福人類。 本論文在超高真空化學(xué)氣相沉積(UHV/CVD)生長設(shè)備上，采用自組裝S-K(Stranski-Krastanov)先層后島生長方法，系統(tǒng)的研究了單層Ge量子點(diǎn)生長條件，得到了單層Ge量子點(diǎn)生長的最優(yōu)條件：溫度T=550℃；時(shí)間t=5mi

2、n； GeH4流量=1sccm。進(jìn)而優(yōu)化設(shè)計(jì)多層結(jié)構(gòu)生長條件，成功的在Si基上制備了PIN結(jié)構(gòu)多層Ge量子點(diǎn)探測器材料。采用傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體工藝，通過3次(版)光刻，摸索了光刻膠(AE5214E)的曝光顯影時(shí)間。分別進(jìn)行了ICP干法刻蝕臺面，濕法腐蝕SiO2引線空和Al接觸電極。采用PECVD淀積了SiO2，采用磁控濺射淀積了Al接觸電極。最后通過器件封裝完成了器件的制備。之后對研制的器件進(jìn)行了I-V特性、暗電流、光譜響應(yīng)特性及針對光纖

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