基于雙極工藝的PWM控制芯片.pdf

1、分類(lèi)號(hào)密級(jí)UDC1注學(xué)位論文基于雙極工藝的PWM控制芯片（題名和副題名）韓高憑（作者姓名）指導(dǎo)教師姓名李平教授博導(dǎo)電子科技大學(xué)成都（職務(wù)、職稱(chēng)、學(xué)位、單位名稱(chēng)及地址）申請(qǐng)專(zhuān)業(yè)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)微電子學(xué)與固體電子學(xué)論文提交日期2009.4論文答辯日期2009.5學(xué)位授予單位和日期電子科技大學(xué)答辯委員會(huì)主席評(píng)閱人2009年月日注1：注明《國(guó)際十進(jìn)分類(lèi)法UDC》的類(lèi)號(hào)。摘要I摘要隨著電子科技的發(fā)展，電子設(shè)備逐漸向高效率，小體積方向發(fā)展，因此

2、電源設(shè)備有了新的發(fā)展。同時(shí)空間科學(xué)和軍事技術(shù)以及核工業(yè)的發(fā)展，要求電子設(shè)備能夠在輻射環(huán)境下工作。本文在研究了經(jīng)典的電源管理結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了一款多功能的PWM控制芯片。芯片采用4um雙極工藝制程，內(nèi)部集成了高增益運(yùn)放，振蕩器，基準(zhǔn)電壓源，輸出模式選擇等功能模塊，可以廣泛運(yùn)用于隔離和非隔離的電源管理結(jié)構(gòu)。同時(shí)該芯片在設(shè)計(jì)中考慮到了特定的輻射應(yīng)用條件可能帶來(lái)的性能退化的因素，對(duì)芯片進(jìn)行了抗輻射加固設(shè)計(jì)。在本論文中首先對(duì)開(kāi)關(guān)電源的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了

3、研究，分析了三種結(jié)構(gòu)的工作原理，以及PWM控制的作用和特點(diǎn)。在芯片總體設(shè)計(jì)中，根據(jù)功能將芯片分為運(yùn)放，基準(zhǔn)電壓源，振蕩器，偏置電路，死區(qū)比較器，輸出選擇控制等功能模塊。同時(shí)根據(jù)總體指標(biāo)要求，完成了各個(gè)模塊的晶體管級(jí)電路的設(shè)計(jì)，通過(guò)仿真優(yōu)化了各個(gè)電路參數(shù)，完成了整體測(cè)試電路的仿真，并搭建了簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)電源結(jié)構(gòu)，驗(yàn)證了功能的正確性。隨后研究了雙極電路的制作工藝流程，分析了雙極工藝的特點(diǎn)。對(duì)輻射原理進(jìn)行了分析，研究了輻射引起性能退化的內(nèi)部工作機(jī)