埋柵-埋溝4H-SiC MESFET結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究.pdf

1、SiC材料由于具有大的禁帶寬度，高的電子飽和速度，高的臨界擊穿電場以及高的熱導(dǎo)率等性能，在高溫，抗輻照，高功率等工作條件下具有明顯的優(yōu)勢，成為近年來半導(dǎo)體領(lǐng)域研究的熱點，并且在交通，通信，能源和國防領(lǐng)域中有廣闊的應(yīng)用前景。但是目前，SiC MESFET的優(yōu)勢還沒有充分發(fā)揮，主要原因之一是存在于SiC MESFET表面的陷阱引起電流的不穩(wěn)定性。為了解決或者削弱表面陷阱對器件性能的影響，學(xué)者們提出了多種器件結(jié)構(gòu)，諸如埋柵、埋溝和埋柵-埋溝等

2、結(jié)構(gòu)，其中以埋柵-埋溝結(jié)構(gòu)取得電學(xué)性能最佳。埋柵-埋溝4H-SiC MESFET新型結(jié)構(gòu)器件是在傳統(tǒng)的4H-SiC MESFET器件結(jié)構(gòu)上利用工藝手段在其導(dǎo)電溝道上部加入一層n-buffer層，并將柵極底部埋入該n-buffer層中。它可以減少本來存在于MESFET器件溝道內(nèi)部由表面陷阱所引起的耗盡層所帶來的影響。 本研究利用ISE軟件建立了埋柵-埋溝4H-SiC MESFET模型，對埋柵-埋溝4H-SiC MESFET進(jìn)行結(jié)構(gòu)