SiC納米材料的場發(fā)射性能及應(yīng)用研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩70頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、本文利用化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)成功合成了四種不同形貌的SiC納米線，通過場發(fā)射掃描電鏡(FE—SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、選區(qū)電子衍射(SAED)和X射線衍射儀(XRD)等對產(chǎn)物進行了系統(tǒng)表征，并深入研究了產(chǎn)物的場發(fā)射性能、任意分布SiC納米線的純化工藝以及場發(fā)射顯示器件的研制。試驗結(jié)果表明： 有刺SiC納米線的開啟電壓和閾值電壓分別為1.3V/μm和4.2V/μm，在四種形貌SiC納米線中場發(fā)射性能最好；提高真空度會

2、降低有刺SiC納米線的開啟電壓和閾值電壓，但開啟電壓降低的幅度更大；低電場強度下升高溫度會提高有刺SiC納米線的開啟電壓，而同樣溫度高電場強度條件下，溫度對閾值電壓的影響并不明顯。 針對任意分布SiC納米線，采用高溫加熱處理和酸化處理相結(jié)合，得到如下純化工藝：(1)高溫加熱處理工藝：加熱溫度為900℃，保溫時間為2h；(2)酸洗工藝：氫氟酸濃度為1.5mol/L，酸洗時間為4h。經(jīng)過純化后，產(chǎn)物中所含的雜質(zhì)減少了，場發(fā)射性能也改

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論