鍵稀疏和隨機(jī)晶場Blume-Emery-Griffiths模型的鐵磁材料的臨界行為和磁學(xué)性質(zhì).pdf

1、本文在有效場理論的框架內(nèi),基于簡立方晶格討論了自旋為S=1的鍵稀疏和隨機(jī)晶場Blume-Emery-Griffiths(BEG)模型的臨界行為和磁學(xué)性質(zhì)。鍵稀疏、隨機(jī)混合(±)晶場,偶極與偶極相互作用與交換相互作用的比率(α)之間的相互影響使BEG模型展示出一些新的現(xiàn)象。當(dāng)模型中同時考慮鍵稀疏和隨機(jī)晶場兩種無序分布,所給出的相圖顯示二級相變線中存在由雙三臨界點確定的一級相變區(qū),一級相變區(qū)將隨鍵稀疏濃度增加而擴(kuò)大,晶場的兩種不同隨機(jī)行為強(qiáng)

2、力地影響一級相變區(qū)和重入相變。當(dāng)α>0時,在T-D平面內(nèi),當(dāng)滿足特定的無序條件時,相圖上出現(xiàn)了三臨界點和相變盲區(qū)。值得注意的是,當(dāng)引入強(qiáng)鍵稀疏時,隨著隨機(jī)晶場濃度的變化,相變線上出現(xiàn)了單三臨界點,甚至雙三臨界點。當(dāng)α<0時,對于所有的鍵稀疏和隨機(jī)晶場濃度條件下都不會出現(xiàn)三臨界點,與α>0相比,相圖中的盲區(qū)明顯擴(kuò)大。在外場下,鍵稀疏和隨機(jī)晶場兩種無序因子共同作用使磁化和磁化率曲線呈現(xiàn)出一種不規(guī)則的行為。例如,在較大的負(fù)晶場區(qū)域中,在χ-T