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文檔簡介
1、納米多孔SiO2薄膜具有介電常數(shù)低、與集成電路工藝兼容性好等優(yōu)點，在末來超大規(guī)模集成電路(ULSI)和微波功率器件互連系統(tǒng)的絕緣介質(zhì)方面具有廣闊的應用前景。 本文采用Sol-Gel的方法，通過旋轉(zhuǎn)涂膠、老化、超臨界干燥和疏水處理，制備了納米多孔SiO2薄膜。利用FTIR, SEM, AFM,橢偏儀等方法研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和性能。 研究了納米多孔Si02薄膜與微波功率器件的兼容性。研究結(jié)果表明:對薄膜進行真空退火或用A
2、r等離子體處理可顯著改善薄膜的粘附性，而薄膜的性能沒有下降;納米多孔二氧化硅薄膜與傳統(tǒng)的光刻工藝不兼容，需采用硬掩膜或帽層結(jié)構(gòu)來阻擋光刻工藝過程中光刻膠和顯影液與納米多孔二氧化硅薄膜的反應，通過PECVD制備二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜作帽層成功實現(xiàn)了RIE刻蝕納米多孔二氧化硅薄膜。 將納米多孔二氧化硅薄膜代替?zhèn)鹘y(tǒng)PECVD二氧化硅應用到硅微波脈沖功率晶體管的制作工藝中進行實驗對比，其直流參數(shù)與采用傳統(tǒng)介質(zhì)制備的同批次晶體管的直流參
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