無鋁大功率量子阱激光器結構設計及材料的SSMBE生長.pdf

1、本文以無鋁化合物半導體材料生長及其物理特性研究為研究方向，文獻調研和探討了無鋁化合物半導體激光器的研究進展；闡述了分子束外延設備原理和無鋁半導體外延層的表征方法；深入研究了MBE生長工藝對InGaP/GaAs異質材料的表面形貌以及生長模式的影響及其規(guī)律；利用Raman光譜，分析其有序化的變化規(guī)律，實現了主要參數對組份影響的預測。主要成果和創(chuàng)新點如下： 1．通過對大光腔無鋁半導體激光器結構的設計，從理論上得到實現量子阱激光器大功率

2、運轉所需各外延層的厚度設計，對激光器無鋁材料的外延生長提供了理論依據。 2．通過生長參數和材料性能的綜合實驗研究，分析和討論了生長溫度、In/Ga比、V/III比等參數對材料組分和表面形貌的影響，獲得了晶格失配度在10<'-4>量級的InGaP/GaAs異質外延材料。 3．通過InGaP/GaAs異質外延材料的拉曼光譜研究，結果顯示出InGaP合金的雙模模式，即2個縱光學聲子模和2個橫光學聲子模；TO<,2>和LO<,1