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1、采用包層泵浦技術(shù),加上大功率多模半導(dǎo)體激光器工藝的快速發(fā)展與完善,光纖激光器在常溫下獲得了極高的輸出功率。熱問(wèn)題是影響摻 Tm3+晶體激光器閾值、效率和輸出功率的主要因素,而摻 Tm3+硅基光纖激光器的摻 Tm3+光纖不需要復(fù)雜的主動(dòng)冷卻設(shè)備,在常溫下即可獲得高效率的大功率激光輸出。本論文從理論和實(shí)驗(yàn)兩個(gè)方面對(duì)摻 Tm3+硅基雙包層光纖激光器進(jìn)行了研究工作。
討論了 Tm3+摻在四種常用激光晶體里的吸收光譜、熒光發(fā)射譜和Tm3
2、+摻在 ZBLAN、silica光纖基質(zhì)中的吸收光譜、熒光發(fā)射譜,Tm3+在兩種光纖基質(zhì)中的吸收光譜、熒光發(fā)射譜要明顯寬于Tm3+在四種晶體里的光譜。概述了強(qiáng)泵浦光纖激光器的輸出功率和閾值的解析表達(dá)式,分析了摻稀土離子雙包層光纖吸收泵浦光有效吸收系數(shù)的理論模型和計(jì)算有效吸收系數(shù)的簡(jiǎn)化表達(dá)式。
從 Tm3+的穩(wěn)態(tài)速率方程出發(fā),結(jié)合諧振腔結(jié)構(gòu)特點(diǎn),在輸出793nm的LD激光器作為泵浦源的情況下,給出了雙包層光纖激光器的振蕩閾值特性
3、、激光輸出特性和激光器諧振腔結(jié)構(gòu)參數(shù)的關(guān)系。從理論上分析了3H6,3H4→3F4,3F4交叉弛豫過(guò)程降低摻 Tm3+硅基光纖激光器的閾值、提高激光器斜率效率的機(jī)理。3H6,3H4→3F4,3F4交叉弛豫過(guò)程可以使激光器的量子效率達(dá)到2,分析了摻雜濃度與加強(qiáng)摻 Tm3+硅基光纖激光器交叉弛豫過(guò)程的關(guān)系、摻雜濃度對(duì)光纖長(zhǎng)度的影響。
詳細(xì)介紹了 LD單端泵浦摻 Tm3+硅基雙包層光纖激光器的實(shí)驗(yàn)過(guò)程和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。研究了光纖長(zhǎng)度、腔型結(jié)
4、構(gòu)和光纖溫度對(duì)激光器閾值、斜率效率以及輸出激光光譜的影響。在實(shí)驗(yàn)上對(duì)比了單程泵浦和雙程泵浦摻 Tm3+雙包層 LMA光纖激光器的閾值、斜率效率的變化,用 LD輸出的807.5nm激光作為泵浦源泵浦摻 Tm3+雙包層 LMA光纖獲得了高效的連續(xù)波激光輸出。
從速率方程出發(fā),模擬了在1.06μm脈沖激光作為泵浦源時(shí)摻Tm3+硅基光纖激光器增益開(kāi)關(guān)弛豫振蕩輸出近2μm脈沖激光的波形振蕩過(guò)程,模型中加入了 Tm3+在1.06μm作為泵
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