新型碳納米管修飾電極在核苷類(lèi)藥物和蛋白質(zhì)分析中的應(yīng)用.pdf

1、碳納米管因其獨(dú)特的力學(xué)、電學(xué)和熱學(xué)等性能，已成為納米科技中最受矚目的部分之一。利用其良好的導(dǎo)電性、催化活性和較大的比表面積，可以將碳納米管廣泛用于修飾電極的研究。由于碳納米管修飾電極能促進(jìn)電子的傳遞，尤其是可大大降低過(guò)電位和實(shí)現(xiàn)部分氧化還原蛋白質(zhì)的直接電子轉(zhuǎn)移，因此在電催化和電分離領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。本論文將碳納米管用作修飾電極的界面材料，研究了核苷類(lèi)抗病毒藥物．更昔洛韋和恩替卡韋的伏安行為，并借助一種新的電化學(xué)方法一零流電位法用

2、于人血清白蛋白傳感器的構(gòu)筑和應(yīng)用，這對(duì)深入研究碳納米管的應(yīng)用基礎(chǔ)研究有重要意義。本論文共包括以下三部分： 第一部分文獻(xiàn)綜述 本部分主要闡述了碳納米管及碳納米管修飾電極在電分析化學(xué)中的研究進(jìn)展。簡(jiǎn)單介紹了碳納米管的發(fā)現(xiàn)、結(jié)構(gòu)及分類(lèi)，優(yōu)異的物理化學(xué)特性等，并列舉了幾種主要的碳納米管制備和純化的方法及特點(diǎn)。著重從碳納米管糊電極、碳納米管膜修飾電極和碳納米管嵌入式修飾電極等五個(gè)方面綜述了碳納米管修飾電極的研究現(xiàn)狀及在電分析化學(xué)中

3、的應(yīng)用。 第二部分嵌入式碳納米管修飾電極對(duì)兩種抗病毒藥物的電催化研究 第一章嵌入式MWNT薄膜浸蠟石墨電極對(duì)更昔洛韋的電催化及其伏安法測(cè)定 嵌入式多壁碳納米管薄膜浸蠟石墨電極(MWNT—IWGE)對(duì)GCV的電氧化有催化作用，其表現(xiàn)在GCV的氧化峰峰電流明顯增大，且峰電位負(fù)移。實(shí)驗(yàn)表明，這種電催化氧化歸因于MWNT自身的納米效應(yīng)和WGE表面嵌入MWNT所形成的薄膜?；诖?，提出一種用MWNT—IWGE測(cè)定GCV的單

4、掃描伏安法。結(jié)果表明，在pH5.9HAc—NaAc緩沖液中，GCV在MWNT—IWGE上于1.03V(vs．SCE)電位處產(chǎn)生一個(gè)氧化峰，沒(méi)有相應(yīng)的還原峰。在0.5V處富集90s的條件下，GCV的氧化峰電流與其濃度在8.0×10-8～1.0×10-5mol·L-1范圍內(nèi)呈良好線(xiàn)性關(guān)系，檢出限為1×10-8mol·L-1。此外，GCV的氧化發(fā)生在其母體鳥(niǎo)嘌呤的C-8位上，是一個(gè)具有吸附特征的失兩電子和兩質(zhì)子的不可逆過(guò)程。 第二章恩

5、替卡韋在嵌入式碳納米管修飾石墨電極上的伏安行為及其測(cè)定 首次研究了恩替卡韋(ETV)在嵌入式碳納米管修飾石墨電極(MWNT—IWGE)上的伏安行為。結(jié)果表明，ETV的電化學(xué)氧化過(guò)程是一個(gè)失兩質(zhì)子兩電子的不可逆過(guò)程，是ETV中電活性鳥(niǎo)嘌呤基團(tuán)C-8位羰基化所致。與在WGE上的伏安行為相比，ETV在MWNT-IWGE上的氧化峰峰電位負(fù)移60mV，峰電流增高約5倍，MWNT—IWGE對(duì)ETV具有顯著的電催化作用?；诖耍岢隽藛螔呙璺?/p>

6、安法測(cè)定ETV的新方法。在0.1mol·L-1HAc—NaAc(pH4.1)緩沖溶液中，ETV于1.13V(vs．SCE)處的氧化峰峰電流與其濃度在1.0×10-7～8.0×10-6mol·L-1范圍內(nèi)呈線(xiàn)性關(guān)系，檢出限為3×10-8mol·L-1。 第三部分基于一種新型碳納米管修飾電極的電化學(xué)傳感器研究 第一章一種檢測(cè)人血清白蛋白的零流電位法傳感器 將適量多壁碳納米管直接固定在膠帶上，并在其兩端連接上銅片做導(dǎo)線(xiàn)