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文檔簡介
1、目的:探討CAD/CAM氧化鋯全瓷冠與氧化鋯基臺的適合性及其對種植修復(fù)的指導(dǎo)意義。
方法:選取自制氧化鋯基臺和OsstemGSⅡ金屬鈦基臺各20個,分為A、B兩組,A組應(yīng)用CAD/CAM技術(shù)針對氧化鋯基臺制作氧化鋯全瓷冠20個,B組應(yīng)用技工用基臺間隙帽鑄造法針對鈦基臺制作鈷鉻合金烤瓷冠20個,然后分別將兩種冠修復(fù)體安裝于兩種基臺上,檢測修復(fù)體是否完全就位;應(yīng)用改良的ModifiedUSPHS標(biāo)準(zhǔn)對修復(fù)體進(jìn)行邊緣適合性評價;
2、采用硅橡膠印模法復(fù)制冠與基臺之間的微間隙模型,將模型修整后沿近遠(yuǎn)中、頰舌向及橫向剖開,在掃描電鏡下測量微間隙厚度。
結(jié)果:
1.冠回位率:
A(氧化鋯基臺-氧化鋯全瓷冠組)、B(鈦基臺-鈷鉻烤瓷冠組)兩組冠修復(fù)體均能順利就位,冠回位率均為100%。
2.邊緣適合性評價:
A組(氧化鋯基臺.氧化鋯全瓷冠組)適合性達(dá)到A級的18例/90‰達(dá)到B級的2例/10%,C級與D級
3、均為0;
B組(鈦基臺-鈷鉻烤瓷冠組)適合性達(dá)到A級的16例/80‰達(dá)到B級的4例/20%,C級與D級均為0。
經(jīng)非參數(shù)秩和檢驗,兩組冠適合性評價的比較無統(tǒng)計學(xué)意義(P>0.05)。
3.適合性測定
3.1基臺與冠間的軸面適合性:
A組為28.4±0.58μm,B組為35.2±0.23μm,A組的軸面適合性值小于B組,兩組數(shù)組的比較具有統(tǒng)計學(xué)意義(P<0.05)。
4、r> 3.2基臺與冠間橫截面適合性:
A組為35.5±0.35μm,B組為35.7±0.46μm,兩組數(shù)組的比較具無統(tǒng)計學(xué)意義(P>0.05)
3.3基臺與冠間的肩臺部適合性:
A組為23.5±0.35μm,B組為45.5±0.43μm,A組的肩臺部適合性值小于B組,兩組數(shù)組的比較具有統(tǒng)計學(xué)意義(P<0.05)。
結(jié)論:
1、氧化鋯基臺與氧化鋯全瓷冠之間顯示了良
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