半導體異質結和鐵電薄膜異質結中應變分布的幾何相位分析.pdf

1、介紹了幾何相位分析(geometric phase analysis，GPA)的基本算法，并用Digitalmicrogragh中的Script語言實現(xiàn)了此算法。基于高分辨像的傅里葉變換，選擇傅里葉變換點分辨率以內的某強衍射，做反傅里葉變換得到晶格條紋的相對相位分布。選擇非線性相關的兩個強衍射，分別得到各自的相位，進一步計算可以得到平面應變的分布。
　　 用GPA研究了AlSb/GaAs異質外延薄膜的應變分布。根據(jù)Bragg濾波

2、條紋像，確認了60°和90°失配位錯的存在，對位錯核心區(qū)域的應變分布差異做了分析。發(fā)現(xiàn)由于存在原子臺階，形成90°Lomer全位錯的兩60°位錯可能釘扎在不同的原子面。在異質界面處形成了大量失配位錯，有效地釋放了失配應力，所以生長在GaAs上的AlSb外延層接近完全馳豫。
　　 用GPA研究了La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)/Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)/La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3(STO)鐵電

3、薄膜異質結中的刃型失配位錯(MDs)和Ba0.7Sr0.3TiO3/La0.7Sr0.3MnO3/LaAlO3(LAO)鐵電薄膜異質結中的刃型穿透位錯(TDs)。HRTEM像及其Bragg濾波表明，[101]刃型MDs分解為兩1/2[101]型不全位錯。[100]刃型MDs由{101}滑移面上的1/2[101]和1/2[101]兩不全位錯滑移相遇反應生成，因存在原子臺階，兩不全位錯可能被釘扎在不同的原子面。[110]刃型TDs易于分解為