特種聚酰亞胺薄膜的制備及性能研究.pdf

1、聚酰亞胺薄膜以其優(yōu)良的電氣性能、耐溶劑性能、耐高溫和耐輻射等多種優(yōu)異性能而被廣泛應(yīng)用于電氣電子領(lǐng)域。變頻技術(shù)和微電子技術(shù)的發(fā)展對聚酰亞胺薄膜提出了更高的要求，希望在其原有基礎(chǔ)上提高其熱導(dǎo)率和耐電暈壽命。自從1994年杜邦公司推出耐電暈聚酰亞胺（KaptonCR）薄膜和含氟聚酰亞胺（KaptonFCR）耐電暈薄膜以來，耐電暈材料的制備、性能以及納米材料在耐電暈性能的提高方面所起的作用成為各國學(xué)者研究的熱點。 本文通過加入納米粉體制

2、備了無機粉體/聚酰亞胺雜化膜，通過透射電鏡對納米粉體的形貌進行了表征，研究了粉體種類、含量對雜化膜熱性能、力學(xué)性能及電性能的影響，并對實驗室制膜工藝做了初步探討。 研究結(jié)果表明，膜厚和亞胺化時間對薄膜的力學(xué)性能有影響，實驗室制得的薄膜與實際工廠生產(chǎn)的薄膜不同，實驗室制得的薄膜越厚其力學(xué)性能越好，亞胺化時間對薄膜力學(xué)性能影響不大。納米粉體的加入能夠很好的提高雜化膜的熱導(dǎo)率和耐電暈性能。但不同種類的粉體對提高雜化膜的熱導(dǎo)率和耐電暈性

3、能效果不同。加入量在10％附近的納米SiO2粉體制得的雜化膜耐電暈壽命較長，比純亞胺薄膜提高了接近25倍。由于納米粒子的加入，在材料內(nèi)部造成了缺陷，使得雜化膜的常態(tài)擊穿場強和體積電阻率降低，浸水48h后的擊穿場強和體積電阻率降低明顯。在0～13.5％范圍，隨粉體含量的增加，擊穿場強呈下降趨勢，加入量在5％附近下降不多，加入量在10％附近降低比較明顯。但雜化膜的熱導(dǎo)率和耐電暈壽命隨粉體含量的增加呈上升趨勢。納米粉體的加入對雜化膜力學(xué)性能有