AlGaN-GaN異質(zhì)結(jié)材料特性與HEMT器件研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、常規(guī)半導體微波功率器件已經(jīng)發(fā)展到其性能極限。為了滿足無線通信的未來需求，寬禁帶半導體GaN和SiC成為研究的熱點。AlGaN/GaN HEMT器件被認為是1-50GHz頻率范圍內(nèi)的理想的微波功率器件。然而，目前AlGaN/GaN HEMT器件物理和工藝技術還不成熟。本文即在此背景下寫作的。 首先，基于ISE TCAD模擬結(jié)果以及文獻中的大量數(shù)據(jù)，分析了AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中影響2DEG的因素，如AlGaN勢壘層極化、Al組分

2、、應變、厚度以及摻雜等?；陟o電學分析，抓住主要矛盾忽略了一些細節(jié)，得出了表面態(tài)是異質(zhì)結(jié)中2DEG的來源?；谶@一分析結(jié)果解釋了模擬和文獻中的大量數(shù)據(jù)。最后根據(jù)建立物理理論的基本方法對得出的結(jié)論進行系統(tǒng)的分類。 其次，基于對異質(zhì)結(jié)的深入理解，建立了AlGaN/GaN HEMT的直流特性解析模型。 最后，研究了AlGaN/GaNHEMT的電流崩塌效應。著重闡述了應力模型、虛柵模型等幾種解釋電流崩塌效應形成機理的模型以及表面

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