納米磁性薄膜生長(zhǎng)機(jī)理與計(jì)算機(jī)模擬.pdf

1、華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文納米磁性薄膜生長(zhǎng)機(jī)理與計(jì)算機(jī)模擬姓名：劉昌輝申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：何華輝20060511II積下來(lái)的粒子返回膜外空間的機(jī)率就大，留下參與成膜的粒子減少。隨著蒸發(fā)幾率增大，團(tuán)簇的數(shù)目減少，團(tuán)簇平均尺寸卻普遍增大，層數(shù)也降低。第四，建立DLA模型，主要研究bccfcchcp結(jié)構(gòu)的薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的形核規(guī)律，核生長(zhǎng)與溫度的變化關(guān)系。研究結(jié)果表明：（1）聚集集團(tuán)在生長(zhǎng)過(guò)程中，隨著粒子行走步長(zhǎng)

2、的增加，其屏蔽效應(yīng)減弱，集團(tuán)的致密度增加。（2）低溫下粒子在基底上的遷移率很小只能凝結(jié)成很小的島；當(dāng)溫度升高后粒子在基底上的遷移率變大凝結(jié)成更大島的機(jī)會(huì)增多島的平均尺寸也變大。（3）隨基底溫度的升高生長(zhǎng)情況有很大變化當(dāng)基底溫度低時(shí)從島的分散或分形生長(zhǎng)形狀上幾乎看不出與基底形貌有任何關(guān)系。但當(dāng)基底溫度很高時(shí)島的凝聚生長(zhǎng)形狀與基底形貌有很大關(guān)系。（4）當(dāng)基底溫度較低時(shí)隨粒子入射能量的增長(zhǎng)島的生長(zhǎng)形貌也經(jīng)歷了一個(gè)從分散、分形到凝聚生長(zhǎng)的變化過(guò)

3、程；島的平均尺寸也逐漸變大。第五，在復(fù)雜的多變量系統(tǒng)中，用一元和多元回歸分析法去確定了化學(xué)鍍CoFeB沉積速率的動(dòng)力學(xué)方程?？梢灶A(yù)報(bào)、估計(jì)和檢驗(yàn)薄膜的制備質(zhì)量，通過(guò)線性回歸分析法優(yōu)化了實(shí)驗(yàn)方案，可以確定化學(xué)鍍CoFeB的最佳配方。由化學(xué)鍍最佳配方制備的CoFeB薄膜，具有較高的飽和磁化強(qiáng)度，適當(dāng)高的磁各向異性場(chǎng)和良好的高頻性能。最后，在上述研究基礎(chǔ)上，研究了顆粒膜的磁性能。用蒙特卡羅方法計(jì)算模擬了CoFe顆粒膜的磁滯回線。結(jié)果顯示，對(duì)于