Al-La-Sb部分三元合金相圖773K等溫截面以及幾個新化合物的晶體結構與性能.pdf

1、本論文研究并確定了部分Al-La-Sb三元系合金相圖773k等溫截面以及化合物Al0.33ErGe2、Al2ErGe2、DysCo6Sn18、Mg21GasHg3等的晶體結構與性能。主要內(nèi)容如下： 1、Al-La-Sb三元合金相圖773K等溫截面。 利用X射線衍射分析和光學顯微鏡等方法，測定了部分Al-La-Sb三元系合金相圖773k等溫截面中的相關系。該等溫截面由12個三相區(qū)、25個兩相區(qū)、14個單相區(qū)組成。證實了二元

2、化合物．Al4La5的存在及存在一個新的二元化合物AlLa2。 2、新化合物的晶體結構和性能。 利用X射線粉末衍射和Rietveld結構精修方法測定了化合物Al0.32ErGe2的晶體結構，其結構數(shù)據(jù)如下：a=0.40701(2)nm，b=1.60401(9)nm，c=0.39240(2)nm，z=4，密度Dcalc=8.326g/cm3，空間群為Cmcm(No.63)，有缺陷的CeNiSi2的結構類型。Rietveld

3、結構修正的最后結果為：峰形因子Rp=10.6％，權重因子Rwp=14.7％。在高溫測量范圍298K-773K內(nèi)，利用高溫X射線衍射技術研究了化合物的熱膨脹性能。得到該化合物的晶胞參數(shù)和晶胞體積的熱膨脹系數(shù)分別為αa=1.72×10-5K-1，αb=1.11×10-5K-1，αc=1.52×10-5K-1，αv=4.35×10-5K-1。在2K-300K溫度范圍用四探針電阻測試儀對Al0.32ErGe2的電阻進行了測量，結果表明在整個測量

4、范圍內(nèi)呈現(xiàn)良好的金屬性。 對化合物Al2ErGe2的晶體結構進行了Rietveld精修，其結構數(shù)據(jù)如下：a=0.41781(9)nm，c=0.66698(1)nm，z=1，密度Dcalc=6.032g/cm3，空間群為P-3ml(No.164)，Al2CaSi2的結構類型。Rietveld結構修正的最后結果為：峰形R因子Rp=9.97％，權重因子Rwp=13.74％。在高溫測量范圍298K-913K內(nèi)，利用高溫X射線衍射技術研究

5、了化合物的熱膨脹性能。得到該化合物的晶胞參數(shù)和晶胞體積的熱膨脹系數(shù)分別為αa=0.90×10-5K-1，αc=1.25×10-5K-1，αv=3.03×10-sK-1。 利用X射線粉末衍射和Rietveld結構精修方法測定了化合物DysCo6Sn18的晶體結構，其結構數(shù)據(jù)如下：a=1.35598(3)nm，c=2.71470(5)nm，z=8，密度Dcalc=8.789g/cm3，空間群為I41/acd(No.142)，TbsR

6、h6Sn18的結構類型。Rietveld結構修正的最后結果為：峰形因子Rp=5.42％，權重因子Rwp=8.07％。在2K-300K的溫度范圍內(nèi)用四探針電阻測試儀對化合物的電阻進行了測量，用超導量子干涉儀在2-300K對化合物的磁性能做了測量。其結果表明此化合物符合居里外斯定律，其居里溫度和有效磁矩分別為-15.7K和10.61μB，在整個測溫范圍內(nèi)，化合物呈現(xiàn)金屬特性。 利用粉末衍射和嘗試法測定了新化合物Mg21Ga5Hg3的

7、晶體結構。其結構數(shù)據(jù)如下：a=1.45391(5)nm，c=1.15955(4)nm，Z=4，密度Dcalc=4.004g/cm3，空間群為I41/a(No.88)，GesPd21的結構類型。Rietveld結構修正的最后結果為：峰形因子Rp=6.37％，權重因子Rwp=8.25％。在高溫測量范圍298K-693K內(nèi)，利用高溫X射線衍射技術研究了化合物的熱膨脹性能。得到該化合物的晶胞參數(shù)和晶胞體積的熱膨脹系數(shù)分別為αa=2.6×10-5