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1、本文對(duì)單片式開(kāi)關(guān)電源管理芯片中的部分子電路進(jìn)行了研究與設(shè)計(jì)。該開(kāi)關(guān)電源管理芯片內(nèi)部集成了耐壓達(dá)730V的開(kāi)關(guān)功率 MOS管，額定工作頻率為60KHZ，最大輸出功率為8W，內(nèi)部集成有保護(hù)電路，因此配以簡(jiǎn)單的外圍元件即可構(gòu)成完整的開(kāi)關(guān)電源解決方案。
由于芯片中采用了陳星弼教授的專利，不采用介質(zhì)隔離或PN結(jié)隔離（即BCD工藝）技術(shù)，而用普通CMOS工藝將高壓功率器件與低壓CMOS控制電路集成在一塊硅片上的方法，使功率集成電路的成本大
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