TD-SCDMA移動(dòng)終端射頻發(fā)射芯片正交調(diào)制器的設(shè)計(jì).pdf

1、本文主要研究?jī)?nèi)容是TD-SCMDA移動(dòng)終端中射頻發(fā)射芯片的正交調(diào)制器的設(shè)計(jì)。近些年來，基于TD-SCDMA標(biāo)準(zhǔn)的移動(dòng)通信系統(tǒng)相關(guān)技術(shù)的研究成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)；其中，其移動(dòng)終端核心芯片的研究更是得到了各個(gè)方面的重視。作為其射頻芯片組中的一個(gè)重要的模塊，正交調(diào)制器在直接轉(zhuǎn)換射頻發(fā)射芯片中同時(shí)完成移動(dòng)終端基帶信號(hào)的調(diào)制和上變頻功能，其性能的優(yōu)劣對(duì)移動(dòng)終端的發(fā)射芯片的性能起著決定性的作用。為此，作者采用Jazz公司的0.35um的鍺硅BiCMO

2、S工藝，進(jìn)行了有關(guān)設(shè)計(jì)，得到了一個(gè)符合TD-SCDMA標(biāo)準(zhǔn)的移動(dòng)終端射頻發(fā)射芯片的正交調(diào)制器設(shè)計(jì)結(jié)果，有關(guān)仿真結(jié)果證實(shí)了電路設(shè)計(jì)的有效性，版圖設(shè)計(jì)通過了設(shè)計(jì)規(guī)則驗(yàn)證。 作為對(duì)相關(guān)工作的介紹，本文首先對(duì)作者在熟悉TD-SCDMA技術(shù)特點(diǎn)、該標(biāo)準(zhǔn)下移動(dòng)終端的射頻發(fā)射芯片結(jié)構(gòu)，以及正交調(diào)制器和混頻器的基本原理等方面的過程中的體會(huì)進(jìn)行了概述；并基于吉爾伯特混頻器結(jié)構(gòu)定義了混頻器的相關(guān)性能指標(biāo)。其次，從考察射頻發(fā)射芯片結(jié)構(gòu)入手，分析了正交

3、調(diào)制器的性能指標(biāo)及其相應(yīng)的工藝的選擇；并基于這些分析對(duì)混頻器進(jìn)行了設(shè)計(jì)與進(jìn)一步的優(yōu)化。這些優(yōu)化針對(duì)移動(dòng)終端射頻發(fā)射芯片的特點(diǎn)，主要集中在功耗、偏置、本振幅度、增益、線性度、噪聲以及阻抗匹配等方面。在此基礎(chǔ)上，給出了基于這些優(yōu)化結(jié)果的一種混頻器設(shè)計(jì)電路圖以及相應(yīng)的仿真結(jié)果。更進(jìn)一步，基于上述混頻器的設(shè)計(jì)，給出了正交調(diào)制器的設(shè)計(jì)電路圖及輸出頻譜、隔離度、功耗、線性特性、溫度特性、器件快慢模型、鄰道泄漏功率比等性能指標(biāo)的仿真結(jié)果，并給出了正交