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文檔簡介
1、為了保證應用于航天器激光雷達的可靠性,必須對其進行輻射加固,電子元器件抗輻射篩選是其中的關鍵步驟。為了改進傳統(tǒng)電參量檢測分析為基礎的元器件篩選方法靈敏度差、效率低的問題,本文在分析了航天器激光雷達工作環(huán)境的基礎上,針對加固要求選擇3DG101型號的功率三極管、FR205型號的發(fā)光二極管、2CK75C型號的功率二級管等三種半導體器件作為篩選研究對象,研究噪聲檢測用于篩選的可行性。對3DG101型號的功率三極管共10只樣品作了60Co-γ輻
2、照實驗,輻照劑量為0、30、90、210、450krad,對FR205型號的發(fā)光二級管和2CK75C功率二級管各15只樣品作了60Co-γ輻照實驗,輻照劑量為0、200、300、1200、2000krad,測量輻照前和每一次輻照后器件的電學參量和噪聲參量,對比分析其量值及變化規(guī)律,得到以下結論: 1.隨著輻照量的增加,F(xiàn)R205型號的發(fā)光二極管和2CK75C型號的功率二極管正向伏安特性基本不變,反向伏安特性變化無規(guī)律;3DG10
3、1型號的功率三極管的增益隨輻照量的增加呈微弱變化; 2.對上述三種半導體器件在輻照前后電參數(shù)和噪聲參數(shù)的比較,當電參數(shù)無變化時或變化沒有規(guī)律,甚至是沒有實際可觀測意義以至于變化很微弱時,噪聲參數(shù)有變化可測變化量并且具有噪聲參數(shù)隨著輻照劑量的增大而增大的規(guī)律。 3.本文研究結果表明,通過對1/f噪聲檢測和分析可望對3DG101型號的功率三極管、FR205型號的發(fā)光二極管、2CK75C型號的功率二級管等三種半導體器件進行抗輻
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