2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、目的:使用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管探測器(MOSFET)測量表面劑量,探討X射線、電子線照射時(shí)不同厚度組織補(bǔ)償膠對表面劑量的影響,為臨床放療提供劑量學(xué)實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
   方法:1.將MOSFET 探測器進(jìn)行劑量刻度,計(jì)算出探頭的校準(zhǔn)因子。2.實(shí)驗(yàn)分為六組,選用6MV、15MV X射線進(jìn)行照射,未加組織補(bǔ)償膠為0組,加上組織補(bǔ)償膠后按厚度從小到大(3mm,5mm,10mm,15mm,20mm)依次記為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ和Ⅴ組,MOS

2、FET 探測器的探頭置于體模表面,Ⅰ~Ⅴ組將組織補(bǔ)償膠敷貼于體模表面照射,0組直接照射。照射條件:源皮距為100cm,射野大小10cm×10cm,加速器輸出100MU,對應(yīng)劑量100cGy。MOSFET 探測器測量各組劑量,每組測10次。3.選用6MeV、9MeV、12MeV 電子線進(jìn)行照射,方法同2。
   結(jié)果:1.6MV X射線照射時(shí)測得探頭的校準(zhǔn)因子平均值為3.88mV/cGy,由于同一探頭對各能量X射線、電子線有較好的

3、能量響應(yīng)性,15MV X射線與電子線照射時(shí)探頭的校準(zhǔn)因子亦取3.88mV/cGy。2.X射線照射時(shí),加上補(bǔ)償膠后表面劑量明顯高于未加補(bǔ)償膠的表面劑量,6MV、15MV X射線最高分別增加109%和224%,且各個(gè)補(bǔ)償膠組與未加補(bǔ)償膠組測得的數(shù)據(jù)比較差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.01),隨著補(bǔ)償膠厚度的增加,表面劑量增加的百分比依次增加;不同厚度補(bǔ)償膠組數(shù)據(jù)兩兩之間比較差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.01)。3.電子線照射時(shí),加上補(bǔ)償膠后表面劑量高

4、于未加補(bǔ)償膠的表面劑量,6MeV、9MeV,12MeV 電子線最高分別增加32.9%,24.9%和19.7%,且各個(gè)補(bǔ)償膠組與未加補(bǔ)償膠組測得的數(shù)據(jù)比較差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.01),隨著補(bǔ)償膠厚度的增加,表面劑量增加的百分比先增加后降低;不同厚度補(bǔ)償膠組數(shù)據(jù)兩兩之間比較差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.01)。
   結(jié)論:X射線和電子線照射時(shí),加上補(bǔ)償膠后表面劑量均增加;各種厚度的補(bǔ)償膠對表面劑量的影響不一,補(bǔ)償膠對表面劑量的增加

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