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1、準(zhǔn)一維納米材料在場發(fā)射器件上有著重要的應(yīng)用前景。本文分別采用了溶液反應(yīng)法和熱氧化法制備出CuO納米材料，并對其形貌和結(jié)構(gòu)進行了表征。研究了制備出來的氧化銅納米材料的場發(fā)射特性，發(fā)現(xiàn)用熱氧化法制備出來的氧化銅納米線的最低開啟電場為5.4 MV/m，而溶液反應(yīng)法制備的層狀氧化銅納米結(jié)構(gòu)的最低開啟電場為12 MV/m。我們研究了CuO納米材料的場發(fā)射特性，從CuO納米材料的幾何形貌和生長密度分析了不同條件下制備的CuO納米材料的場發(fā)射特性的差
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