有機(jī)電致發(fā)光器件模型研究.pdf_第1頁(yè)
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1、近年來(lái),有機(jī)電致發(fā)光器件的研究已經(jīng)成為一個(gè)熱點(diǎn),并取得長(zhǎng)足的進(jìn)展,逐漸應(yīng)用在現(xiàn)實(shí)生活中,但進(jìn)一步開(kāi)發(fā)穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng)、功耗低的電子器件是現(xiàn)階段以及今后研究工作的主要目標(biāo)。為了提高有機(jī)電致發(fā)光器件的性能,人們對(duì)電致發(fā)光過(guò)程的機(jī)理進(jìn)行了廣泛的研究。但由于問(wèn)題的復(fù)雜性,導(dǎo)致了數(shù)學(xué)處理和實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析上的困難,大部分問(wèn)題都懸而未決,又由于有機(jī)器件載流子的輸運(yùn)機(jī)理不同于無(wú)機(jī)發(fā)光器件,所以建立一套適用于有機(jī)電致發(fā)光器件的理論模型非常的重要?;诖耍?/p>

2、論文作了如下工作: 1.在歐姆注入條件下,推導(dǎo)了以無(wú)陷阱有機(jī)薄膜為功能層的單層單載流子器件的電流-電壓的關(guān)系,對(duì)存在陷阱的情況,數(shù)值研究了器件電流隨薄膜厚度和相對(duì)陷阱深度的變化關(guān)系,模擬了器件中電勢(shì)、電場(chǎng)以及載流子濃度的空間分布。 2.對(duì)金屬電極和有機(jī)層界面處的載流子注入模型作了論述,建立了一種新的熱電子注入模型,解釋了空穴從ITO陽(yáng)極注入到有機(jī)半導(dǎo)體Gl-para-Ir(ppy)3的注入機(jī)制。 3.以載流子運(yùn)動(dòng)

3、的擴(kuò)散-漂移理論為基礎(chǔ),建立了單層雙載流子電致發(fā)光器件模型,并依據(jù)此模型數(shù)值研究了有機(jī)發(fā)光層中雙極載流子注入時(shí)的電勢(shì)、電場(chǎng)、載流子濃度和復(fù)合密度分布。 4.以Miller-Abrahams跳躍傳導(dǎo)理論為基礎(chǔ),建立了描述雙層單載流子有機(jī)薄膜器件的有機(jī)-有機(jī)異質(zhì)界面電荷傳輸?shù)慕馕瞿P?,并分析了有機(jī)半導(dǎo)體多層薄膜器件的電流密度、電場(chǎng)分布和載流子濃度分布的。進(jìn)而分析了有機(jī)-有機(jī)界面限制(organic-organic interface

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