線性正磁電阻材料硒化銀的制備工藝及性能研究.pdf

1、自摻雜非化學計量比的硒化銀和碲化銀材料(簡稱硫族銀化物材料)在較寬的溫度范圍(1K-300K)和超寬的磁場范圍(1mT～60T)具有大的正線性磁電阻效應(LMR)，且脈沖磁場直到60T，其LMR仍未達到飽和，這種奇異的線性磁電阻效應因其巨大的應用價值已引起了研究者的廣泛關注。
　　 本文首次采用兩步合成法成功地制備出完全化學計量比及非化學計量比的硒化銀(Ag2+δSe(δ≥0))晶體，分析了硒化銀晶體的物相、微結構及形貌，探究了

2、兩步合成法制備硒化銀晶體的最佳工藝條件，并研究了晶體的物理性能。
　　 本文通過改變化學反應方程式中Se的配比，利用室溫合成法得到含不同過量銀的硒化銀納米顆粒，然后通過固相合成法制備出晶體。XRD和SEM分析結果表明,室溫合成法中，反應時間為10h時，可得到高純的正交a相硒化銀納米顆粒；固相合成法中，溫度為500℃時，可燒結出結晶完全的硒化銀晶體，流通的氬氣氛燒結及粉體預熱處理工藝均可有效提高晶體的致密度。
　　 采用X

3、RD和SEM對制備出的硒化銀晶體進行微觀性能的研究，結果表明，隨著Se配比的降低(≥75[％])，Ag2+δSe晶體中過量銀的含量逐漸增多，其存在形式也由小微粒逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榧{米級的團聚體，同時，硒化銀晶體的晶粒尺寸也逐漸減小。此外，Ag2+δSe晶體中的過量銀呈現(xiàn)出略顯規(guī)則的鏈條式排列鑲嵌在Ag2Se母體中，鏈條的方向也基本一致。
　　 最后，采用多種測試手段，對硒化銀晶體的物理性能進行了研究。結果表明，硒化銀晶體為n型半導體，其