線性正磁電阻材料硒化銀的制備工藝及性能研究.pdf

1、自摻雜非化學(xué)計量比的硒化銀和碲化銀材料(簡稱硫族銀化物材料)在較寬的溫度范圍(1K-300K)和超寬的磁場范圍(1mT～60T)具有大的正線性磁電阻效應(yīng)(LMR)，且脈沖磁場直到60T，其LMR仍未達(dá)到飽和，這種奇異的線性磁電阻效應(yīng)因其巨大的應(yīng)用價值已引起了研究者的廣泛關(guān)注。
　　 本文首次采用兩步合成法成功地制備出完全化學(xué)計量比及非化學(xué)計量比的硒化銀(Ag2+δSe(δ≥0))晶體，分析了硒化銀晶體的物相、微結(jié)構(gòu)及形貌，探究了

2、兩步合成法制備硒化銀晶體的最佳工藝條件，并研究了晶體的物理性能。
　　 本文通過改變化學(xué)反應(yīng)方程式中Se的配比，利用室溫合成法得到含不同過量銀的硒化銀納米顆粒，然后通過固相合成法制備出晶體。XRD和SEM分析結(jié)果表明,室溫合成法中，反應(yīng)時間為10h時，可得到高純的正交a相硒化銀納米顆粒；固相合成法中，溫度為500℃時，可燒結(jié)出結(jié)晶完全的硒化銀晶體，流通的氬氣氛燒結(jié)及粉體預(yù)熱處理工藝均可有效提高晶體的致密度。
　　 采用X

3、RD和SEM對制備出的硒化銀晶體進(jìn)行微觀性能的研究，結(jié)果表明，隨著Se配比的降低(≥75[％])，Ag2+δSe晶體中過量銀的含量逐漸增多，其存在形式也由小微粒逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榧{米級的團(tuán)聚體，同時，硒化銀晶體的晶粒尺寸也逐漸減小。此外，Ag2+δSe晶體中的過量銀呈現(xiàn)出略顯規(guī)則的鏈條式排列鑲嵌在Ag2Se母體中，鏈條的方向也基本一致。
　　 最后，采用多種測試手段，對硒化銀晶體的物理性能進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，硒化銀晶體為n型半導(dǎo)體，其