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文檔簡介
1、本文基于charted semiconductor 0.35μmRF工藝庫,完成了一種△-∑小數(shù)頻率合成器的設計。首先從系統(tǒng)級角度詳細分析了各個模塊對整個系統(tǒng)性能的影響及各模塊基本結構形式。重點采用Matlab研究了各部分噪聲對整體輸出相位噪聲的影響;分析比較了不同濾波器結構對整體噪聲特性和芯片面積的影響以及壓控振蕩器增益降低對于系統(tǒng)噪聲性能改善和芯片面積減小的重要作用。接著根據(jù)項目指標要求,確定了各模塊結構,并完成了濾波器、電荷泵、分
2、頻器等模塊的電路設計;研究了環(huán)路帶寬與其它環(huán)路參數(shù)之間的折衷關系;優(yōu)化了頻率合成器的環(huán)路參數(shù);本文還研究了一種高速CML(Current mode logic)分頻器器件尺寸的計算方法,使得電路設計更為方便。最后通過系統(tǒng)級仿真和SpectreRF電路仿真得到了總體結構的鎖定與相位噪聲曲線,仿真結果基本相符。 仿真結果表明:該頻率合成器輸出范圍為1800MHz-1930MHz,鎖定時間小于350μs,相位噪聲在900KHz頻偏下小
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