放大器頻率補償理論的研究與分析.pdf

1、隨著器件尺寸縮小和電源電壓的下降，電路設(shè)計的重點已經(jīng)從基本的參數(shù)要求轉(zhuǎn)向低電壓、低功耗方面，同時要求電路具有更好的精確度和更低的噪聲。在低電源電壓的條件下，基于共源共柵技術(shù)的單級放大器已經(jīng)不能滿足高增益要求。很多電路設(shè)計者了解到低電壓多級放大器的重要性。但是，由于所有的多級放大器本身會產(chǎn)生多個極點，會造成電路的不穩(wěn)定。因此出現(xiàn)了很多頻率補償結(jié)構(gòu)。 本文基于放大器頻率特性，首先從理論上詳細(xì)分析了兩級放大器頻率補償?shù)膬煞N結(jié)構(gòu)，綜合考

2、慮采用補償技術(shù)的放大器技術(shù)指標(biāo)，針對這兩種補償結(jié)構(gòu)的理論分別設(shè)計了電路，詳細(xì)介紹了每個電路各個部分的構(gòu)成以及如何設(shè)計，計算出各個電路增益、極點的表達(dá)式、共模輸入范圍。采用UMC 0.6 um雙鋁雙層多晶BICMOS工藝MODEL對電路的各個性能指標(biāo)進(jìn)行仿真分析，仿真的性能指標(biāo)包括放大器的開環(huán)增益、相位裕度、共模輸入范圍、差模輸入范圍、電源電壓抑制比、共模抑制比。最后比較分析這兩種電路。本章中設(shè)計的兩個兩級放大器實現(xiàn)了好的性能指標(biāo)，增益帶

3、寬大，頻率特性好，在實際中能夠很好的應(yīng)用。 接著對三級放大器頻率補償理論進(jìn)行深入的研究和分析。設(shè)計了兩個三級放大器電路。從整體上詳細(xì)分析了電路的組成，分別計算了電路的增益和極點，同樣采用UMC 0.6 um雙鋁雙層多晶BICMOS工藝MODEL對電路的各個性能指標(biāo)進(jìn)行仿真分析，仿真的性能指標(biāo)包括放大器的開環(huán)增益、相位裕度、共模輸入范圍、差模輸入范圍、電源電壓抑制比、共模抑制比。本章最后比較分析這兩個三級放大器電路。 最后