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文檔簡介
1、PIN開關是一種廣泛采用的微波半導體控制器件,高頻、寬帶、多擲一直是其設計難點所在。PIN開關的設計中需要對開關電路進行準確仿真,然而高頻、寬帶、多擲PIN開關受裝配工藝的限制,開關公共結點附近存在著串聯(lián)諧振和相互耦合,給PIN開關的準確仿真帶來了困難:二維仿真軟件很難對電路進行準確建模,仿真誤差較大;三維仿真軟件耗時過長,難以在實際設計中應用。本文在對幾種影響開關性能的因素進行詳細分析之后,提出了一種簡化仿真電路模型,并采用二維——三
2、維混合仿真方法對開關電路進行了仿真和優(yōu)化。根據所建電路模型,實現(xiàn)了一種寬帶、多擲(8-18GHz、SP8T)PIN開關,開關實測技術指標與仿真結果吻合。
鑒于PIN開關有承受更大的射頻功率傾向和梁式引線PIN二極管散熱較差的事實,本文提出了一種替代法進行功率驗證。由于開關損壞的主要原因是過熱損壞,對PIN二極管進行熱阻和功耗測試以準確估計器件的內部溫升是非常必要的。該方法以PIN二極管作為感溫元件和發(fā)熱元件,采用功率脈沖源來代
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