等離子體發(fā)射光譜及其在ZnO薄膜生長中的應(yīng)用.pdf

1、本文通過發(fā)射光譜實(shí)驗(yàn)，研究了一種以ICP的電源配給方式提供給天線，激發(fā)處在恒定磁場中的石英鐘罩內(nèi)的氣體來形成等離子體，我們稱之為磁場增強(qiáng)ICP的新型等離子體源。得出磁場的引入降低了感應(yīng)耦合等離子體向高密度模式轉(zhuǎn)變的功率閾值，提高了等離子體的密度和均勻性的可控性；通過對(duì)譜線相對(duì)強(qiáng)度的理論模擬和討論，分辨出與N2譜線重合的N+線和NI線，并估算了等離子體的解離率，得出等離子體的解離率和離化率是隨磁場的增強(qiáng)逐漸提高的。并根據(jù)平面天線，螺旋天線

2、，平面螺旋組合天線這三種不同類型的天線的比較，得出螺旋型的天線所激發(fā)的等離子體具有較強(qiáng)的密度，但穩(wěn)定性相對(duì)較差。 本文通過等離子體發(fā)射光譜在線監(jiān)測，研究了ZnO薄膜制備過程中的沉積溫度T、氧氣流量比例[O2/(O2+Ar)]對(duì)ZnO成膜空間中的Zn和O原子發(fā)射光譜的影響，得出脈沖放電條件下微量氧氣將導(dǎo)致濺射產(chǎn)額的顯著增加。當(dāng)氧氣流量比例大于0.75﹪時(shí)，金屬Zn靶的濺射產(chǎn)額隨R的增加基本呈線性下降規(guī)律。當(dāng)氧氣流量比例介于10﹪-