壓力傳感器用氧化硅薄膜的制備和絕緣耐壓性能研究.pdf

1、本文采用射頻磁控濺射技術(shù)，以SiO<,2>和單晶Si為靶材，在P型Si和不銹鋼基底上制備出一系列的SiO<,x>薄膜樣品?；诮鹣囡@微照片、原子力顯微圖像、Alpha-step臺階測厚儀和絕緣耐壓測試等實(shí)驗(yàn)結(jié)果，較系統(tǒng)地分析研究了SiO<,x>濺射態(tài)薄膜與退火態(tài)薄膜的結(jié)構(gòu)、特性及其與制備工藝之間的關(guān)系。結(jié)果表明SiO<,x>薄膜與基底之間具有強(qiáng)的附著力，薄膜表面平整光滑，其最大的均方根粗糙度不大于2.473 nm，熱處理還可以進(jìn)一步減小

2、薄膜的表面粗糙度，使薄膜更趨平整。薄膜的絕緣耐壓特性較強(qiáng)地依賴于基底表面的平整度，當(dāng)采用IC行業(yè)用的Si片作基底時(shí)，由于基底表面粗糙度較小，所制備的SiO<,x>薄膜的電擊穿強(qiáng)度高而且數(shù)值分布范圍小而集中，而在實(shí)驗(yàn)室自制的不銹鋼基片上沉積的SiO<,x>薄膜樣品的電擊穿強(qiáng)度數(shù)值較小且分布范圍更寬。當(dāng)SiO<,x>薄膜厚度達(dá)到1.5μm時(shí)，采用SiO<,2>和單晶Si兩種靶材制備的SiO<,x>薄膜其絕緣電阻都可達(dá)到l000 MΩ，熱循環(huán)