高效率WBG功率放大器的設(shè)計(jì).pdf

1、被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的SiC、GaN等寬禁帶(Wide-Band-Gap)半導(dǎo)體材料具有高的擊穿電壓、很高的熱導(dǎo)率、明顯高于其它材料的電子飽和速率和極佳的抗輻射能力，非常適合制作高溫，高頻和大功率器件。目前傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的發(fā)展已經(jīng)接近應(yīng)用極限，特別是在高頻、高溫領(lǐng)域，對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的研究必將成為影響電子通訊行業(yè)的熱點(diǎn)。 與A類，B類，AB類，C類放大器這些有固定偏置點(diǎn)的工作模式不同，本文重點(diǎn)設(shè)計(jì)及介紹的E類，F(xiàn)類功率放大器

2、效率的改善是由非線性條件實(shí)現(xiàn)的，有源器件既工作在夾斷區(qū)，同樣也工作在飽和區(qū)，電流電壓半周期出現(xiàn)峰值且不同時(shí)為零，器件近似為“開關(guān)”的效果，其功率耗散達(dá)到最小，從而實(shí)現(xiàn)高效率傳輸。通過對(duì)這一類型功率放大器基本原理的分析，得到了微帶化實(shí)現(xiàn)匹配電路的新方法。用Advanced Design System2005仿真了幾款工作在L及S波段的高效率放大器，分析它們的基波和高次諧波功率頻譜特性，以及在大信號(hào)模型下的穩(wěn)定性。最后，通過對(duì)投版樣品進(jìn)行測(cè)