半導體光催化劑的制備及分解硫化氫的研究.pdf

1、本文制備了ZnO/ZnS復合光催化劑和系列Cd<,x>Zn<,1-x>S固溶態(tài)型復合光催化劑，通過XRD、UV-Vis漫反射光譜、TPR、TG、SEM-EDS、SPS等分析手段，對光催化劑的晶型結(jié)構(gòu)、光物理性質(zhì)等進行了表征，考察了其催化分解硫化氫制氫性能。采用沉淀法制備的ZnO/ZnS復合光催化劑為立方晶系ZnS顆粒與六方晶系ZnO顆粒復合而成，根據(jù)兩種半導體的耦合作用，此結(jié)構(gòu)可以有效地抑制光生電子-空穴的復合，并增加了光譜吸收范圍，與

2、單組分ZnS和ZnO相比，光催化產(chǎn)氫效率明顯提高。采用共沉淀法制備的系列Cd<,x>Zn<,1-x>S固溶態(tài)型復合光催化劑，為六方晶系結(jié)構(gòu)。隨著Cd<,x>Zn<,1-x>S中x值在0.1～0.9之間提高，帶隙能在2.54～3.52eV之間呈連續(xù)降低，達到了對半導體能級結(jié)構(gòu)的控制。光催化分解硫化氫制氫實驗表明，在650℃，N<,2>氣氛下焙燒的Cd<,0.7>Zn<,0.3>S最高的產(chǎn)氫速率可達到7.61mmol/g·h。另外還考察了催