離子束濺射源特性及其鍍膜工藝研究.pdf

1、離子束濺射技術(shù)經(jīng)過近40年發(fā)展，已經(jīng)成為一類非常重要的薄膜制備技術(shù)。由于離子束濺射技術(shù)污染小，成膜條件易于精確控制，離子束能量和束流可以精確調(diào)節(jié)，有利于獲得高質(zhì)量薄膜等優(yōu)點而備受關(guān)注。離子束濺射薄膜制備技術(shù)是指由惰性氣體電離產(chǎn)生的離子束轟擊被濺射靶材，濺射出的靶材料再沉積到基片上形成薄膜的制備技術(shù)。此外，在薄膜沉積過程中通入所需反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體原子在等離子體中離化后，可以沉積形成一定化學(xué)配比的薄膜。當(dāng)前，離子束濺射技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各

2、種功能薄膜材料的制備，特別是在DWDM光通訊系統(tǒng)、各種光學(xué)薄膜元件系統(tǒng)以及半導(dǎo)體器件當(dāng)中。 本文面向離子束濺射鍍膜技術(shù)對離子束濺射源進(jìn)行了研究，詳細(xì)介紹了國內(nèi)外離子束濺射鍍膜發(fā)展現(xiàn)狀，論述了離子束濺射源的基本原理。自主研制了離子束濺射源，并使用該離子源在玻璃基底上鍍制了Cu、Zn膜，為下一步鍍制ZnO薄膜打下了堅實的基礎(chǔ)。之后采取反應(yīng)濺射沉積方法在玻璃基底上鍍制ZnO薄膜，ZnO純度達(dá)到86％，而且具有較好的結(jié)晶擇優(yōu)取向。