低功耗霍耳傳感器的研究設(shè)計.pdf

1、磁場力作用下在金屬或通電半導(dǎo)體中將產(chǎn)生霍耳效應(yīng)，其輸出電壓與磁場強(qiáng)度成正比。1879年由E．H．霍耳首先發(fā)現(xiàn)，直到20世紀(jì)60年代末期，隨著固態(tài)電子技術(shù)的發(fā)展，霍耳效應(yīng)才開始彼人們所應(yīng)用。隨著CMOS技術(shù)的發(fā)展，使得成本低、質(zhì)量好、性能可靠、體積小等多種優(yōu)點(diǎn)的霍耳傳感器在汽車、工業(yè)及計算機(jī)外設(shè)方面得到了廣泛的應(yīng)用，目前正以每年8．9％的速度增長。同時由于集成電路制造技術(shù)的發(fā)展，芯片的速度和集成度不斷提高，功耗密度顯著增大，為了延長手持設(shè)

2、備中電池的使用時間、降低芯片的封裝及散熱成本，必須在芯片設(shè)計時特別考慮功耗因素。目前市場上的主流產(chǎn)品都是國外的，國內(nèi)從事相關(guān)研究的單位也十分少，所以低功耗霍耳傳感器有著重要的研究意義。 本論文首先介紹了霍耳傳感器的發(fā)展以及市場需求，根據(jù)系統(tǒng)應(yīng)用的需要給出其設(shè)計指標(biāo)，并給出了本芯片的低功耗的設(shè)計方法；然后簡單介紹霍耳效應(yīng)的原理并闡述引起霍耳傳感器偏置的一般原因，分別從電路設(shè)計方面采用旋轉(zhuǎn)電流即霍耳電流從霍耳器件的四個方向依次流過取