摻雜鈮酸鋰晶體體全息存儲特性研究.pdf

1、通過提拉法生長了Zn：Fe：LiNbO<,3>，Ce：Cu：LiNbO<,3>和Mg：Mn：Fe：LiNbO<,3>三種晶體。其中對Zn：Fe：LiNbO<,3>晶體，研究了不同的摻Zn<'2+>濃度對晶體光折變性能的影響；同時對Ce：Cu：LiNbO<,3>和Mg：Mn：Fe：LiNbO<,3>晶體切割后，分別進行了氧化還原處理，研究了不同的處理方式對晶體光折變性能的影響。 利用二波耦合的實驗方法測試了 Zn：Fe：LiNbO

2、<,3>，Ce：Cu：IJNbO<,3>和Mg：Mn：Fe：LiNbO<,3>晶體的體全息存儲性能，包括衍射效率、響應時間、擦除時間等，發(fā)現(xiàn)晶體中的摻雜濃度以及晶體的氧化還原狀態(tài)都影響晶體的體全息存儲性能。 利用透射光斑畸變法測試了Ce：Cu：LiNbO<,3>晶體和Mg：Mn：Fe：LiNbO<,3>晶體的抗光致散射能力。通過測試發(fā)現(xiàn)晶體的氧化還原對晶體產(chǎn)生光折變效應的主導機制有所不同，生長態(tài)和還原態(tài)晶體在光折變過程中是擴散機

3、制和光生伏特效應共同作用，氧化態(tài)晶體以光生伏特效應為主。 本文又對測試后的晶體進行了體全息存儲系統(tǒng)的研究。首先是改善實驗光路，研究發(fā)現(xiàn)通過減少像差和探測器的噪聲能很好的提高存儲的質(zhì)量。其次，在對晶體進行圖像存儲過程中發(fā)現(xiàn)，晶體的光折變性能直接決定存儲質(zhì)量的好壞：對于Zn：Fe：LiNbO<,3>晶體，摻雜Zn<'2+>濃度的增加降低了響應速度，但是提高了信息的存儲時間；對于Ce：Cu：IJNbO<,3>晶體，氧化還原處理直接影響