TiB-,2--BN三元復相導電陶瓷的制備及性能.pdf

1、本文采用真空熱壓燒結制備了TiB2-BN-TiC/Si3N4三元復相陶瓷，研究了添加劑TiC/Si3N4及其添加百分含量對材料性能的影響，并結合材料結構的變化分析材料結構對性能的影響。另外，TiB2-BN導電復合陶瓷在實際應用的過程中要承受室溫到高溫的熱震沖擊以及抗熔鋁腐蝕，所以，在模擬工況實驗條件下研究了材料的抗熱震性能和抗熔鋁腐蝕破壞機理。 正交實驗結果表明：添加劑的摻加能夠提高材料的綜合性能，對于TiB2-BN-TiC/S

2、i3N4體系，燒結壓力對材料的性能沒有什么影響，但是對TiB2-BN-TiC陶瓷，材料的力學性能隨燒結溫度的升高和TiC摻加百分含量的增加下降，分析其主要原因是：溫度越高，晶粒尺寸長大，另外引入過多的第三相陶瓷TiC，導致其性能降低，而致密度的下降可能是BN的分解；對TiB2-BN-Si3N4陶瓷，材料的性能隨燒結溫度的升高而上升，隨Si3N4摻加百分含量的增加而減少，所以摻加適量的Si3N4和提高材料的燒結溫度能提高材料的綜合性能。實

3、驗得出最佳燒結工藝為：TiC最佳摻加量是重量比1﹪，燒結壓力25MPa以上，燒結溫度1600℃，材料相對致密度96﹪以上，抗彎強度達179MPa；Si3N4最佳摻加量是重量比1﹪，燒結壓力25MPa以上，燒結溫度1800℃，材料的相對致密度93.5﹪以上，抗彎強度達142MPa。 對TiB2-BN導電復合陶瓷抗熱震行為研究表明：在工況條件(1200℃)下經受50多次的冷熱循環(huán)仍舊完好，只是樣品的電阻率在每一次熱震循環(huán)后略有增加，