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文檔簡介
1、針對目前的功率半導體器件的高頻模型不完善,無法用于傳導EMI仿真的現(xiàn)狀.該文對典型的兩種功率半導體器件—少子器件PIN二極管和多子器件功率VDMOSFET,進行了深入地機理分析,提出了它們適合于EMI分析的高頻模型.PIN二極管中主要的瞬態(tài)現(xiàn)象是正向電壓恢復和反向電流恢復,該文采用集總電荷的方法描述了它的動、靜態(tài)特性,提出了改進的集總電荷的PIN二極管高頻模型,同時提出了改進的曲線擬合模型參數(shù)抽取方法,減少了所需的參數(shù)測量實驗并提出了參
2、數(shù)抽取的精度.功率MOSFET的開關(guān)動態(tài)特性主要受其極間非線性電容和外部工作條件的影響,在分析了功率MOSFET在開關(guān)過程中各極間電容變化的基礎上,該文以小信號LDMOS為內(nèi)核,提出了子電路形式的功率MOSFET高頻模型,所有的模型參數(shù)也都可以利用產(chǎn)品數(shù)據(jù)曲線獲得.功率變換器的傳導EMI以差模干擾和共模干擾兩種模式存在,在對器件和PCB板高頻建模的基礎上,該文提出了建立差模干擾和共模干擾的精確的時域電路模型的方法和步驟.這兩種干擾模式的
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