不同管電流對正常顱腦CT灌注參數(shù)和輻射劑量的影響.pdf

1、目的：分析管電流與正常顱腦各灌注參數(shù)及圖像質(zhì)量之間的關(guān)系，探討低電流顱腦 CT灌注掃描的可行性。
　　方法：2010年7月~2011年5月所有擬行顱腦CT灌注檢查的受檢者，按管電流隨機分為A組（常規(guī)劑量組）（200mA），B組（150mA），C組（120mA），D組（100mA）不同管電流進行掃描，每組篩選10例無顱腦疾病者進行研究。在額葉、顳葉及小腦白質(zhì)對稱各選取3個感興趣區(qū)，分別測量腦血流量（CBF）、腦血容量（CBV）、平均

2、通過時間（MTT）和達峰時間（TTP），噪聲（SD）及輻射劑量（E），計算對比度噪聲比（CNR）、變異系數(shù)（CV）及信噪比（SNR），并對各參數(shù)進行統(tǒng)計學分析，記錄各組輻射劑量。
　　結(jié)果：各興趣區(qū)各項灌注參數(shù)在4組間比較無統(tǒng)計學意義。在4組間兩兩比較結(jié)果顯示，A組與D組額、顳、小腦CBF及額、顳葉CBV組間兩兩比較差異有統(tǒng)計學意義，A組與C組顳葉CBF及額葉CBV組間兩兩比較差異有統(tǒng)計學意義，A組與B組各項灌注參數(shù)組間兩兩比較差