基于藍(lán)色主體材料的多色有機(jī)電致發(fā)光二極管.pdf

1、本文首先研究了寬帶藍(lán)色材料二(2-甲基-8羥基喹啉)(4-苯基-苯酚)鋁(BAlq)和9，10-二萘葸(ADN)合成工藝和材料的光電特性。在此基礎(chǔ)上以ADN作為摻雜主體的發(fā)光層，分別制作了綠色，紅色的雙摻雜OLED器件，并研究其光電特性。 首先本文通過改善原材料配比和反應(yīng)環(huán)境優(yōu)化了BAlq的合成工藝；表征了所合成樣品的結(jié)構(gòu)特征和純度；并對(duì)該樣品的熱學(xué)性能及光電特性進(jìn)行了研究。紅外光譜(FTIR)分析表明本文合成材料符合BAlq的

2、分子結(jié)構(gòu)特征譜；高效液相色譜(HPLC)結(jié)果顯示合成材料純度可達(dá)到93％；光致發(fā)光(photoluminescence)光譜顯示了合成材料的PL發(fā)射峰位于477 nm處。以BAlq作為發(fā)光層，制作了雙層OLED器件。器件結(jié)構(gòu)為：ITO/NPB(50 nm)/BAlq(80 nm)/LiF(2 nm)/Al(100 nm)。所得器件的電致發(fā)光(EL)發(fā)射峰位于491 nm處，色坐標(biāo)為X=0.19，Y=0.26，當(dāng)電壓為22 V時(shí)，電流效率

3、為2.1 cd/A。 合成藍(lán)光主體材料(ADN)，研究材料純化對(duì)合成材料光電性能的影響。為進(jìn)一步分析材料經(jīng)升華提純對(duì)OLED器件性能的影響，以提純前后ADN為發(fā)光層，以NPB為空穴傳輸層，分別制作雙層器件1(提純前)和器件2(提純后)，器件結(jié)構(gòu)為ITO(100 nm)/NPB(40 nm)/ADN(30 nm)/Alq<,3>(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)，結(jié)果表明提純后材料PL光譜藍(lán)移了2 nm，半高

4、寬54.2 nm，與提純前一致；雜質(zhì)影響載流子注入效率和遷移率，對(duì)器件光電性能有顯著影響，純化前后器件最大電流效率由1.5 cd/A上升至2.5 cd/A；器件2色純度有較大提高，CIE色坐標(biāo)由器件1(0.15，0.10)移至(0.15，0.06)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明材料提純是優(yōu)化器件性能有效手段之一。 研究以寬帶材料ADN為發(fā)光層主體OLED器件體系發(fā)光機(jī)制，分別制作了綠色、紅色雙摻雜OLED器件。其中綠色熒光OLED器件的最佳結(jié)構(gòu)

5、為ITO(100 nm)/NPB(40 nm)/ADN+香豆素C545T(0.6 wt％)+DMQA(0.6 wt％)(45 nm)/Alq<,3>(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)。最大發(fā)光亮度值為20000 cd/m<'2>，電流效率為10.5cd/A，色坐標(biāo)(0.27，0.62)。紅色OLED器件的結(jié)構(gòu)為ITO(100 nm)/NPB(60nm)/ADN+C545T(0.6 wt％)+DCJTB(1.4 wt

6、％)(35 nm)/Alq<,3>(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)。結(jié)果表明，該雙客體摻雜型器件在引入綠色熒光摻雜劑后，其電致發(fā)光(EL)光譜最大峰值紅移10 nm；其電流效率為4.05 cd/A；根據(jù)Forster能量轉(zhuǎn)移機(jī)制，綠色摻雜劑C545T能更有效將主體ADN的能量轉(zhuǎn)移到發(fā)光客體DCJTB，從而使激子更有效在發(fā)光中心DCJTB發(fā)光而優(yōu)化器件光電性能。由于發(fā)光層主體材料本身為寬帶材料ADN，故可以在同一主