低維氧化鋅納米材料光學特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO是一種直接帶隙的半導體材料，室溫下能隙寬度3.37 eV，激子束縛能高達60meV，遠大于ZnSe(20meV)和GaN(21meV)的激子結合能。如此高的激子束縛能使得激子不易被熱激發(fā)，從而大大提高了ZnO材料的適用范圍。由于其在紫外發(fā)光和激光方面具有潛在的應用前景，而成為國際前沿中的研究熱點之一。半導體納米材料由于具有顯著的量子效應、表面效應、特殊的電子傳導效應等不同與體材料的獨特的物理化學性質，納米ZnO材料的研究引起了人們

2、的廣泛的關注。本文主要圍繞著ZnO納米晶的尺寸，結構及納米球摻雜等條件對其發(fā)光性能的影響開展了研究工作，具體的內容如下：(1)利用高質量納米ZnO顆粒以及Fe摻雜的氧化鋅納米球并通過X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)對其結構進行分析。(2)通過吸收光譜、光致發(fā)光譜(PL)測試等手段對所得到的樣品進行表征測試。研究納米氧化鋅所表現(xiàn)出的光學性質。(3)研究Fe摻雜濃度為10％的ZnO納米材料發(fā)光特性，分

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