基于模擬電荷法的高壓直流輸電線路下合成電場(chǎng)的仿真計(jì)算

1、基于模擬電荷法的高壓直流輸電線路下合成電場(chǎng)的仿真計(jì)算重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文學(xué)生姓名：陳曉鑫指導(dǎo)教師：李永明副教授專業(yè)：電氣工程學(xué)科門類：工學(xué)重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院二O一一年四月重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文中文摘要I摘要隨著我國(guó)越來(lái)越多直流輸電工程的開工建設(shè)，一些突出的問(wèn)題也逐漸顯露出來(lái)并引起了人們的關(guān)注。直流輸電線路的電磁環(huán)境的問(wèn)題是社會(huì)各界所關(guān)心的焦點(diǎn)問(wèn)題之一。高壓直流輸電線路運(yùn)行時(shí)的電磁環(huán)境影響因素主要包括合成電場(chǎng)、離子流密度、磁場(chǎng)、可聽噪聲和

2、無(wú)線電干擾。其中，影響直流輸電線路電磁環(huán)境的主要因素是合成電場(chǎng)和離子流密度，而這又與導(dǎo)線表面的電場(chǎng)分布密切相關(guān)。本文首先采用解析法，通過(guò)對(duì)實(shí)際情況采取一定的簡(jiǎn)化假設(shè)，提出了高壓直流輸電線路合成電場(chǎng)和離子流密度的一維數(shù)值計(jì)算方法。將用此方法仿真計(jì)算的離子流場(chǎng)結(jié)果與文獻(xiàn)所提供的結(jié)果進(jìn)行比較，證明了本論文所建立的直流輸電線路的合成電場(chǎng)和離子流密度的計(jì)算方法是可行及準(zhǔn)確的。在此基礎(chǔ)上，分析了線路參數(shù)（高度、極間距、分裂間距、子導(dǎo)線半徑）和環(huán)境因

3、素（溫度、海拔、降雨）的變化對(duì)500kV直流輸電線路的合成電場(chǎng)和離子流密度的影響。其次，在一維模型的基礎(chǔ)上，研究了計(jì)及地電位升高的高壓直流輸電線路的合成場(chǎng)和離子流密度的計(jì)算模型，并研究了地電位升高值、導(dǎo)線高度、極間距等參數(shù)不同時(shí)輸電線路的合成場(chǎng)和離子流密度的變化趨勢(shì)。計(jì)算結(jié)果表明，地電位升高會(huì)使HVDC輸電線路地面的離子流場(chǎng)值增大，但不影響其分布規(guī)律，考慮了地電位升高的情況得到的計(jì)算結(jié)果更接近實(shí)際條件下的HVDC離子流場(chǎng)分布情況。最后，