1.3微米量子點激光器材料發(fā)光特性研究_第1頁
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1、分類‘；：—TN—304UDC：68】7密級可公丌編號——13微米量子點激光器材料發(fā)光特性研究STUDYONCHARACTERISTICSOFLUMINESCENCEOF13ttmQUANTUMDOTSMATERIALSFORLASERS學位授予單位及代媽：睦壹型三[盔堂(1Q1墅2學科專業(yè)名稱搜代碼：堂堂土捏IQ!Q32研究方向：盤芏堇壟焦王捏立旦申請學位紱剎：亟指導教帥：至鹽研究生：羔堅論文起止時陽J：2Q!Q生9蚓=墊ll生12臼

2、摘要經(jīng)過近半個世紀的靛展，半導體激光器在光電子器件和通訊領域內已經(jīng)得到了廣泛的研究和應用。對量子點和量子阱激光器材料的研究有助于半導體激光器性能的改善。低微納米材科尤其是量子點材料是當今國際研究的熱點受到廣泛的關注與重視，本文主要利用MBE外延生長技術對lnAs／GaAs量子點的生長參數(shù)進行調節(jié)，從而制備出面密度為(10“’cm。1的lnAs量子點。對IrtAs量子點進行熒光光譜實驗實驗表明生長出lnGaAs應變減小層的應變量子點材料的

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