2.45grfid半有源標簽芯片關鍵電路的分析與設計

1、2.45GRFID半有源標簽芯片關鍵電路的分析與設計半有源標簽芯片關鍵電路的分析與設計AnalysisDesignoftheKeyCircuitf2.45GRFIDSemipassiveTag學科專業(yè)：微電子學與固體電子學研究生：張艷征指導教師：張世林教授天津大學電子信息工程學院二零一二年十一月中文摘要中文摘要射頻識別（RFID）是一種利用無線通信實現(xiàn)信息傳輸、認證、追蹤、排序和定位物體的非接觸式自動識別技術，近年來得到了迅猛的發(fā)展。本

2、論文所闡述的半有源標簽芯片完全遵循ISO180004標準，適用于2.45GHzISM波段無線通訊系統(tǒng)。該芯片由接收端、數(shù)字控制部分、EEPROM存儲單元、電源控制單元和發(fā)射端組成，其中接收端負責接收和解調ASK信號。電源管理部分負責產生整個芯片工作所需要的電源電壓以及控制信號發(fā)射方式的使能信號。發(fā)射端負責載波信號的產生、ASK信號的調制與發(fā)射。本文對半有源標簽的特點和工作原理進行了理論的分析和研究，綜合考慮工作距離、使用壽命和成本等因素

3、，提出了具有RSSI功能的半有源標簽整體架構的設計方案，并對各個模塊的子電路進行了電路設計和版圖驗證，如整流濾波電路，限壓電路，保護電路，使能信號產生電路、RSSI、振蕩器、功率放大器以及偏置產生電路等。首先，芯片采用OOK調制方式，降低了功耗。其次，發(fā)射端采用了功率放大器和差分LC負阻振蕩器相結合的方法，實現(xiàn)了基帶信號的直接上變頻調制，增加了工作距離。最后，在芯片中加入了RSSI電路，使得標簽具有定位功能，大大擴展了其應用范圍。電源控

4、制單元采用的是SMIC公司0.18μm2P4MCMOS工藝，而發(fā)射端電路則采用UMC公司的0.18μm1P6MCMOS工藝。所有的電路均利用cadence進行仿真和繪制版圖，通過DRC和LVS檢查后，利用PEX進行寄生參數(shù)的提取，從而進行電路的后仿真。最后針對兩次流片的結果，設計了不同的測試方案，完成相關測試工作，測試結果表明所設計的芯片電路工作良好，滿足預期目標。關鍵詞：關鍵詞：2.45G，半有源，ISO180004，RFID，OOK