26438.氘核橫向電磁密度的研究

1、氘核橫向電磁密度的研究專業(yè)名稱：理論物理申請人：梁翠英指導教師：梁偉紅教授董宇兵研T究員I宙—卜1JI71川論文答辯委員會主席：盟委員：IIIlllllllllltUllIlltlllllltlUlllllllllllllllI氘核橫向電磁密度的研究Y幽多鯽5研究生：梁翠英指導教師：梁偉紅教授、董宇兵研究員專業(yè)：理論物理方向：粒子物理與原子核物理年級：2011級摘要研究質子、中子以及一些輕原子核(例如氘核、He3等)的電磁形狀因子對于了

2、解核子結構具有非常重要的意義。通過研究電磁形狀因子可以知道核子或原子核內(nèi)部的電荷分布和磁化分布。長期以來，氘核的電磁形狀因子～直是人們關注的焦點。氘核與質子(中子)不同，他的總自旋為1，在單光子近似下有三個電磁形狀因子，分別為電形狀因子G小磁形狀因子GM和四極矩形狀因子G。。人們發(fā)現(xiàn)，在由質子和中子構成的氘核中，S波成分是占主要的，D波僅僅占百分之五左右。本文中我們利用等效拉氏量方法來研究氘核的電磁性質。在這個模型中，氘核被看做是由一個

3、質子和一個中子(結合能為ED一222MeV)構成的弱耦合束縛態(tài)，并且這兩個核子相對處于S波。我們在光錐坐標中得到了氘核電磁形狀因子在橫向平面內(nèi)的表示。所求得的電磁形狀因子在小Qz區(qū)域與唯象參數(shù)化結果或實驗數(shù)據(jù)都符合。但是在Qz較大的區(qū)域我們的結果與唯象參數(shù)化結果或實驗值有一定的偏差。對電磁形狀因子做二維傅里葉變換，我們進一步得到橫向平面內(nèi)氘核的電荷密度pc(b)和磁密度pu(b)。電磁密度PCM(6)是碰撞參數(shù)b的函數(shù)。我們發(fā)現(xiàn)，在大b

4、區(qū)域(對應小Q2區(qū)域)，我們的結果與唯象參數(shù)化結果擬合得較好。但是，在小b區(qū)域(對應大Q。區(qū)域)存在差異，隨著b的減小，這種差異逐漸增大。這是因為我們對大Qz區(qū)域的電磁形狀因子的了解不夠。此外，我們還將四種已有的唯象參數(shù)化得到的氘核電形狀因子進行傅里葉變換，給出了對應的橫向電荷密度。我們發(fā)現(xiàn)雖然四種已有的唯象參數(shù)化方法得到的電形狀因子在小Q2區(qū)域與實驗符合得相當好，但卻給出了非常不同的Pcf6)，尤其是在b很小的時候。這是因為橫向電荷密

5、度在b一0的行為主要由大Q2區(qū)域的電形狀因子決定。最后，我們還利用ParisN—N勢給出的氘核波函數(shù)重新研究氘核的均方根半徑，特別是研究均方根半徑與遠處氘核波函數(shù)的關系?？傊?，通過本論文的研究我們發(fā)現(xiàn)在中心處(6=0)的橫向電荷分布與大動量轉移情況下的形狀因子密切相關，他可以對不同的模型理論給出判別。另外，遠處波函數(shù)的行為對我們深入認識氘核的均方根半徑是有幫助的。這一點與近期對質子均方根半徑的研究結果是一致的。關鍵詞：氘核、等效拉氏量方