南昌大學(xué)本科生畢業(yè)論文書寫樣式

1、<p>　　南昌大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計（論文）書寫式樣</p><p>　　一、頁面設(shè)置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,頁眉1.5cm,頁腳1.75cm，行間距1.35倍。</p><p>　　二、目錄：“目錄”兩字小三號宋體加粗，目錄內(nèi)容小四號宋體，頁碼數(shù)字對齊。</p><p>　　三、頁眉和頁碼：頁眉和頁碼從中文摘要開始

2、，頁眉為相應(yīng)內(nèi)容的標題，頁碼從中文摘要、Abstract、目錄用羅馬數(shù)字(I，II，III……)編排，從正文第一章開始按照阿拉伯數(shù)字（1，2，3……）編排。</p><p><b>　　四、摘要</b></p><p>　　中文摘要：標題小二號宋體加粗，“專業(yè)、學(xué)號、姓名、指導(dǎo)教師”五號宋體，“摘要”兩字四號宋體，摘要內(nèi)容小四號宋體，“關(guān)鍵詞”三字小四號宋體加粗，&l

3、t;/p><p>　　英文摘要：標題小二號Times New Roman 體加粗，“Abstract” 四號Times New Roman 體；“Abstract” 內(nèi)容小四號Times New Roman 體，“Keyword”小四號Times New Roman 體加粗。</p><p>　　五、正文：標題四號宋體，正文內(nèi)容小四號宋體。</p><p>　　六、圖表

4、：圖表內(nèi)容五號宋體。</p><p>　　七、參考文獻：“參考文獻”四字四號宋體，參考文獻內(nèi)容小四號宋體，其中英文用小四號Times New Roman 體。</p><p>　　八、致謝：“致謝”兩字四號宋體，致謝內(nèi)容小四號宋體。</p><p><b>　　具體書寫式樣如下：</b></p><p>　　密級：

5、 </p><p>　　NANCHANG UNIVERSITY</p><p>　　學(xué) 士 學(xué) 位 論 文</p><p>　　THESIS OF BACHELOR</p><p>　　（20 —20 年）</p><p>　　題 目

6、 </p><p>　　學(xué) 院： 系 </p><p>　　專業(yè)班級： </p><p>　　學(xué)生姓名： 學(xué)號：

7、 </p><p>　　指導(dǎo)教師： 職稱： </p><p>　　起訖日期： </p><p><b>　　南 昌 大 學(xué)</b></p><p>　　學(xué)士學(xué)位論文原創(chuàng)性申明</p>&l

8、t;p>　　本人鄭重申明：所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨立進行研究所取得的研究成果。除了文中特別加以標注引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果。對本文的研究作出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式表明。本人完全意識到本申明的法律后果由本人承擔。</p><p>　　作者簽名： 日期：</p><p>　　

9、學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書</p><p>　　本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)南昌大學(xué)可以將本論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。</p><p>　　保密□，在 年解密后適用本授權(quán)書。</p>&l

10、t;p><b>　　本學(xué)位論文屬于</b></p><p><b>　　不保密□。</b></p><p>　　（請在以上相應(yīng)方框內(nèi)打“√”）</p><p>　　作者簽名： 日期：</p><p>　　導(dǎo)師簽名：

11、 日期：</p><p>　　III-Ⅴ族氮化物及其高亮度藍光</p><p>　　LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究</p><p>　　專 業(yè)： 學(xué) 號：</p><p>　　學(xué)生姓名： 指導(dǎo)教師： </p><

12、p><b>　　摘要</b></p><p>　　寬禁帶III－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長高亮度發(fā)光器件、短波長激光器、光探測器以及高頻和大功率電子器件等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。自1994年日本日亞化學(xué)工業(yè)公司率先在國際上突破了GaN基藍光LED外延材料生長技術(shù)以來，美、日等國十余家公司相繼報導(dǎo)掌握了這項關(guān)鍵技術(shù)，并分別實現(xiàn)了批量或小批量生產(chǎn)GaN基LED。盡管如此，這項高技術(shù)仍處于

13、高度保密狀態(tài)，材料生長的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開，還無法從參考文獻及專利公報中獲取最重要的材料生長信息。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長中的物理及化學(xué)問題，為生長可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科學(xué)依據(jù)。</p><p>　　本文在自制常壓MOCVD和英國進口MOCVD系統(tǒng)上對III－Ⅴ族氮化物的生長機理進行了研究，對材料的性能進行了表征。通過設(shè)計并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長的藍光

14、LED外延片質(zhì)量達到了目前國際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：</p><p>　　1．首次提出了采用偏離化學(xué)計量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單晶膜的思想，并在GaN外延生長上得以實現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。</p>

15、<p><b>　　…………</b></p><p>　　本文得到了國家863計劃、國家自然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項目的資助。</p><p>　　關(guān)鍵詞：氮化物； MOCVD； LED；盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜 </p><p>　　Study on MOCVD growth and proper

16、ties of III-Ⅴ</p><p>　　nitrides and high brightness blue LED wafers</p><p><b>　　Abstract</b></p><p>　　GaN based Ⅲ-Ⅴ nitrides have potential applications on high brightne

17、ss LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.</p>

18、<p>　　More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.</p&

19、gt;<p>　　In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were ob

20、tained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:</p><p>　　1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for

21、 materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low a

22、nd high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield χmin of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN</p><p>&

23、lt;b>　　…………</b></p><p>　　This work was supported by 863 program in China.</p><p>　　Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption</p><p>&l

24、t;b>　　目錄</b></p><p><b>　　摘要Ⅰ</b></p><p>　　AbstractⅡ</p><p>　　第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進展（多數(shù)文章為“緒論”）1</p><p>　　1 .1 III族氮化物材料及其器件的進展與應(yīng)用1</p><p

25、>　　1. 2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)4</p><p>　　1. 3 摻雜和雜質(zhì)特性12</p><p>　　1. 4 氮化物材料的制備13</p><p>　　1. 5 氮化物器件19</p><p>　　1. 6 GaN基材料與其它材料的比較22</p><p>　　1. 7 本論文工作的

26、內(nèi)容與安排24</p><p>　　第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝31</p><p>　　2. 1 MOCVD材料生長機理31</p><p>　　2. 2本論文氮化物生長所用的MOCVD設(shè)備32</p><p><b>　　…………</b></p><p><b>

27、;　　結(jié)論136</b></p><p>　　參考文獻（References）138</p><p><b>　　致謝150</b></p><p>　　第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進展</p><p>　　1 .1 III族氮化物材料及其器件的進展與應(yīng)用</p><p>

28、　　在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進程中，材料永遠扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息息相關(guān)的千萬種材料中，半導(dǎo)體材料的作用尤其如此。以Si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計算機的發(fā)明。以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體誕生于20世紀60年代，它們成為制作光電子器件的基礎(chǔ)。III－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料及器件研究歷時30余年，前20年進展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。由于III族氮化物特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電性質(zhì)，優(yōu)異

29、的材料機械和化學(xué)性能，使得它在短波長光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。III－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國內(nèi)外眾多研究者的興趣。</p><p><b>　　…………</b></p><p>　　1．2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)</p><p><b>　　…………&

30、lt;/b></p><p>　　表1-1 用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0、c和T0的值</p><p><b>　　…………</b></p><p><b>　　…………</b></p><p><b>　　加熱電阻</b></p><p&g

31、t;　　―――□―――■■―――□――→氣流</p><p>　　測溫元件　　　　　測溫元件</p><p>　　圖1-1 熱風(fēng)速計原理</p><p><b>　　…………</b></p><p>　　第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝</p><p>　　2.1 MOCVD材料生長機理

32、</p><p><b>　　…………</b></p><p><b>　　轉(zhuǎn)換控制</b></p><p><b>　　頻率設(shè)置</b></p><p><b>　　波形數(shù)據(jù)設(shè)置</b></p><p>　　圖2-1 DDS方式

33、AWG的工作流程</p><p><b>　　…………</b></p><p><b>　　參考文獻</b></p><p>　　[1] Well．Multiple-modulator fraction-n divider[P]．US Patent，5038117．1986-02-02</p><p&

34、gt;　　[2] Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-583．</p><p>　　[3] 萬心平，張厥盛．集成鎖相環(huán)路——原理、特性、應(yīng)用[M]．北京：人民郵電出版社，1990．302-307．</

35、p><p>　　[4] Miler．Frequency synthesizers[P]．US Patent，4609881．1991-08-06．</p><p>　　[5] Candy J C．A use of double-integretion in sigma-delta modulation[J]．IEEE Trans Commun，1985，33(COM)：249-258．&l