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1、二氧化碳的捕集與封存技術(shù)(CCS)是實(shí)現(xiàn)二氧化碳減排并促進(jìn)中國(guó)化石能源清潔利用的重要方法之一。該技術(shù)包括CO2捕集、運(yùn)輸以及封存三個(gè)環(huán)節(jié),其中,CO2捕集是投資成本和能耗最為密集的環(huán)節(jié)。吸附法CO2捕集技術(shù)具有降低CO2捕集成本和能耗的潛力,而且能夠克服傳統(tǒng)醇胺法CO2捕集所存在的吸收劑降解、設(shè)備腐蝕等問(wèn)題。但傳統(tǒng)的CO2吸附劑通常難以適應(yīng)電站鍋爐燃燒后煙氣量大、CO2濃度高、成分復(fù)雜的煙氣工況。因此,本文根據(jù)分子印跡技術(shù)的原理,采用本
2、體聚合法,制備了一種具有高CO2吸附容量、高選擇性的分子印跡型CO2吸附劑,并開(kāi)展了燃煤煙氣中CO2吸附和再生實(shí)驗(yàn)研究。主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)論如下:
針對(duì)燃煤煙氣中CO2含量高、燃煤煙氣工況條件和煙氣成分復(fù)雜等特點(diǎn),根據(jù)分子印跡技術(shù)的原理,對(duì)制備分子印跡型吸附劑的三要素,即模板分子、功能單體和交聯(lián)劑進(jìn)行了篩選,分別確定了模板分子為乙二酸,功能單體為丙烯酰胺,交聯(lián)劑為乙二醇二甲基丙烯酸脂;采用本體聚合方式,制備了分子印跡型CO2吸附
3、劑,并采用N2吸附和熱重分析等實(shí)驗(yàn)手段考察了溶劑和引發(fā)方式對(duì)吸附劑結(jié)構(gòu)的影響,結(jié)果表明,以乙腈為主的溶劑體系和恒溫60℃熱聚合的引發(fā)方式更易制備出高比表面積的分子印跡型CO2吸附劑;利用Chembio3D軟件并通過(guò)CO2捕集實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了分子印跡型吸附劑選擇性吸附CO2的可行性。
詳細(xì)探討了分子印跡型吸附劑的CO2吸附容量和吸附焓與吸附劑結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系、以及其吸附再生性能和吸附選擇性。采用N2物理吸附、熱重分析、傅里葉紅外分析以
4、及掃描電鏡等實(shí)驗(yàn)手段,對(duì)吸附劑結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征;采用DSC-TGA的方法,對(duì)CO2吸附容量和吸附焓進(jìn)行了測(cè)定;通過(guò)固定床實(shí)驗(yàn),研究了吸附劑的再生性能和吸附選擇性。研究結(jié)果表明,分子印跡型吸附劑的CO2吸附容量受比表面積和表面酰胺基團(tuán)密度的影響,比表面積越大,表面酰胺基團(tuán)越多,CO2吸附容量越大;在25℃時(shí),CO2吸附量可達(dá)到0.912mmol/g,在60℃時(shí),可達(dá)到0.478mmol/g;吸附量經(jīng)過(guò)50次連續(xù)的吸附/脫附實(shí)驗(yàn)后,僅降低了2
5、%;分子印跡型吸附劑的CO2吸附焓值低于40kJ/mol,屬于物理吸附;CO2/N2分離因子高達(dá)260,且吸附劑CO2吸附容量基本不受H2O、O2和NOx的影響,表明吸附劑具有良好的吸附選擇性。煙氣中SO2濃度對(duì)CO2吸附量有一定的影響,SO2濃度低于150mg/m3時(shí),CO2吸附量隨著SO2濃度的增加而增大,SO2濃度高于150mg/m3時(shí),隨著SO2濃度的增加,CO2的吸附量逐漸減少。再生實(shí)驗(yàn)表明,分子印跡型吸附劑對(duì)SO2的吸附為可
6、逆吸附。
為了克服本體聚合方式制備分子印跡吸附劑存在的研磨過(guò)程可控性差、模板分子難洗脫以及印跡位點(diǎn)分布不均勻的問(wèn)題,以硅膠為基底,制備了一種硅膠表面印跡CO2吸附劑,并與其他三種硅膠改性材料(APTMS嫁接硅膠吸附劑、AAM聚合物嫁接硅膠吸附劑、AAM聚合物浸漬硅膠吸附劑)進(jìn)行了吸附劑的孔結(jié)構(gòu)、表面化學(xué)結(jié)構(gòu)、熱穩(wěn)定性以及CO2吸附容量和吸附焓的對(duì)比,研究了不同改性方法對(duì)硅膠物理化學(xué)結(jié)構(gòu)及CO2吸附性能的影響。四種吸附劑熱穩(wěn)定性
7、較好,在25-250℃的溫度范圍內(nèi),均未觀察到明顯的質(zhì)量熱損失;四種吸附劑中,硅膠表面印跡CO2吸附劑的表面酰胺基團(tuán)密度和比表面積最大,CO2吸附量最高,在25℃時(shí),CO2吸附量可達(dá)到1.03mmol/g,在60℃時(shí),CO2吸附量可達(dá)到0.67mmol/g,其CO2吸附屬于物理吸附。通過(guò)固定床實(shí)驗(yàn)研究了硅膠表面印跡CO2吸附劑的再生性能,結(jié)果表明,硅膠表面印跡吸附劑再生溫度較低,在70℃下基本可完全再生,其CO2吸附容量在10個(gè)吸附/脫
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