第六章,半導(dǎo)體材料,,,半導(dǎo)體材料是構(gòu)成許多有源元件的基體材料,在光通訊設(shè)備、信息的儲(chǔ)存、處理、加工及顯示方面都有重要應(yīng)用,如半導(dǎo)體激光器、二極管。半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和光電二極管等等。它是能源、信息、航空、航天、電子技術(shù)必不可少的一種功能材...
下載價(jià)格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 死為你守候 / 發(fā)布時(shí)間:2024-01-05 / 3人氣
1,11什么是半導(dǎo)體材料,定義一依據(jù)材料導(dǎo)電能力的高低來(lái)區(qū)分導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體,把電阻率介于金屬和絕緣體之間的材料定義為半導(dǎo)體。導(dǎo)體電阻率小于10-4??CM;絕緣體電阻率大于1010??CM;半導(dǎo)體電阻率介于于10-4??CM到1010??CM,2,半導(dǎo)體材料定義二,在絕對(duì)...
下載價(jià)格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-01-06 / 0人氣
一半導(dǎo)體材料的簡(jiǎn)介及種類自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體、和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電導(dǎo)率在103~109歐厘米范圍。在一般情況下,半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而增大,這與金屬導(dǎo)體恰半導(dǎo)體材料好相反凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導(dǎo)體材料...
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單晶半導(dǎo)體材料制備技術(shù),布里奇曼BRIDGMAN法GAAS直拉生長(zhǎng)CZOCHRALSKI法GAAS單晶硅區(qū)熔生長(zhǎng)單晶硅,ASCIENTISTFROMKCYNIAPOLAND,JANCZOCHRALSKI,WASMANYYEARSAHEADOFHISTIMEIN1916HEDEVELOPEDAMETHODFORGROWINGSINGLECRYSTALS,WHICHWASBASICALLYFORGOTTENUNTILAFTERWOR...
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半導(dǎo)體物理與材料、器件概論,第三章PN結(jié)二極管,31介紹,電流在PN結(jié)二極管中如何流動(dòng)窄基二極管,既能夠說(shuō)明有關(guān)電流的行為,又在理論上表述簡(jiǎn)單,而且又是形成后面雙極晶體管的重要部分IV特性PIN二極管整流器高注入效應(yīng)HIGHLEVELINJECTIONEFFECT為簡(jiǎn)單起見只討論理想的PI...
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半導(dǎo)體材料(SEMICONDUCTMATERIAL)導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電阻率在10(U3)10(U9)歐姆厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對(duì)光、熱、電、磁等外界因素的變化十...
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1833年,英國(guó)巴拉迪最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬,一般情況下,金屬的電阻隨溫度升高而增加,但巴拉迪發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導(dǎo)體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)。不久,1839年法國(guó)的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體和電解質(zhì)接觸形成的結(jié)...
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SEMICONDUCTOR,MODERNTHEORY,1、原子的能級(jí)和晶體的能帶,制造半導(dǎo)體器件所用的材料大多是單晶體。單晶體是由靠得很緊密的原子周期性重復(fù)排列而成,相鄰原子間距只有幾個(gè)埃的量級(jí)。1埃?1010米M,晶體的結(jié)合形式,一般的晶體結(jié)合,可以概括為離子性結(jié)合,共價(jià)結(jié)合,金屬...
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作者CHADRSNYDER,MEMBERFREDERICKIMOPSIK國(guó)籍AMERICA出處IEEETRANSACTIONSONINSTRUMENTATIONANDMEASUREMENTAPRECISIONCAPACITANCECELLFORMEASUREMENTOFTHINFILMOUTOFPLANEEXPANSION–PARTIIICONDUCTINGANDSEMICONDUCTINGMATERIALSABSTRACTTHISPAPERDESCRIBESTHECONST...
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半導(dǎo)體材料的探析與應(yīng)用半導(dǎo)體材料的探析與應(yīng)用當(dāng)今,以半導(dǎo)體材料為芯片的各種產(chǎn)品普遍進(jìn)入人們的生活,如電視機(jī),電子計(jì)算機(jī),電子表,半導(dǎo)體收音機(jī)等都已經(jīng)成為我們?nèi)粘K豢扇鄙俚募矣秒娖?。半?dǎo)體材料為什么在今天擁有如此巨大的作用,這需要我們從了解半導(dǎo)體...
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徐桂英材料學(xué)院無(wú)機(jī)非金屬材料系,第7章半導(dǎo)體材料的應(yīng)用,半導(dǎo)體材料的應(yīng)用總的說(shuō)來(lái)可分為兩大類,一類是制作半導(dǎo)體器件;一類是作光學(xué)窗口、透鏡等。71半導(dǎo)體器件的分類半導(dǎo)體器件可分為兩大類,一類稱為分立器件(DISCRETEPART),另一類為集成電路(INTEGRATEDCIRC...
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半導(dǎo)體材料高效放電切割技術(shù)單位南京航空航天大學(xué)地址南京市御道街29號(hào)郵編210016聯(lián)系人汪煒電話02584895718電子信箱WANGWEINUAA成果簡(jiǎn)介半導(dǎo)體材料高效放電切割是一種低成本高效的特種加工技術(shù)。該技術(shù)的創(chuàng)新研究得到江蘇省高技術(shù)研究計(jì)劃重大項(xiàng)目的資助。它采用高...
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近年來(lái)低維有機(jī)半導(dǎo)體材料的研究被人們廣泛的關(guān)注特別是在發(fā)現(xiàn)了聚對(duì)苯乙炔PPV的電致發(fā)光現(xiàn)象以后。低維有機(jī)半導(dǎo)體材料中一些新的物理性質(zhì)使人們不論在理論上還是在試驗(yàn)上都面臨新的挑戰(zhàn)。隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展使得制造出在有機(jī)半導(dǎo)體材料光電子器件已經(jīng)成為可能由...
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1半導(dǎo)體及基本半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTITSPHYSICALPRINCIPLESCRESPONDENCEWITHTHETEXTBOOKSECTION25、26、273基本原子模型E1E2E3E0能量軌道電子能階束縛電子自由電子束縛能自由電子束縛電子原子核電子軌道外加電場(chǎng)FEFEFEN1N2N3N1最內(nèi)層
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寬禁帶半導(dǎo)體材料與工藝寬禁帶半導(dǎo)體材料與工藝11寬禁帶半導(dǎo)體的概念和發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體的概念和發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體(WBS)是自第一代元素半導(dǎo)體材料(SI)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GAAS、GAP、INP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。這類材料主要包括SIC(碳化硅...
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先進(jìn)半導(dǎo)體材料及其制備工藝,匯報(bào)人第一課題小組,目錄,第一部分前言,,半導(dǎo)體簡(jiǎn)介,半導(dǎo)體電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在105~107歐米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。,半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分...
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氮化鎵半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀氮化鎵基半導(dǎo)體材料是繼硅和砷化鎵基材料后的新一代半導(dǎo)體材料,被稱為第三代半導(dǎo)體材料,它具有寬的帶隙,優(yōu)異的物理性能和化學(xué)性能,在光電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景和研究?jī)r(jià)值。用GAN基高效率藍(lán)綠光LED制作的超大屏全色顯示,可用于室內(nèi)...
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